ヤマウチ サトシ山内 智教授Satoshi YAMAUCHI
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論文
- Selective Cu growth on fine structures using a Cu-iodide precursor
Gento Toyoda; Takashi Fuse; Satoshi Yamauchi, 責任著者, Abstract
Selective Cu deposition by CVD using copper(I)-iodide (CuI) as the precursor is applied on 0.5 μm- and 1.0 μm-pitch Cu-lines/SiO2 -spaces (L/S) at 370 °C. A confocal laser microscope suggests that the Cu is selectively deposited on the Cu line, not on the space. The average Cu height provided by the cross-sectional profile across the 1.0 μm-pitch L/S, which is linearly increased with total CuI supply, evaluates that the dissociation efficiency of CuI is about 23%. Surface scanning electron microscopy and energy dispersive X-ray spectroscopy clearly show the selective deposition of Cu, but surface roughness on the deposited Cu is increases with the Cu-height. The feature of surface roughness is discussed on the coalescent Cu line at the deposition temperature and the rate-limiting step in the CVD. The selective Cu deposition is also performed on 0.5 μm-pitch L/S, in which the deposition rate is similar but the surface is rougher than on the 1.0 μm-wide line., IOP Publishing
Japanese Journal of Applied Physics, 2024年06月03日, ［査読有り］ - 〔主要な業績〕Study of Cu-growth feature by selective low-pressure chemical vapor deposition using a CuI precursor
Gento Toyoda; Hikari Kikuchi; Satoshi Yamauchi; Tatsuya Joutsuka; Takashi Fuse; Yusuke Kubota, 責任著者, 日本応用物理学会
Japanese Journal of Applied Physics, 2023年04月19日, ［査読有り］ - Synthesis, characterization, and formation of self-assembled monolayers of a phosphonic acid bearing a vinylene-bridged fluoroalkyl chain
Tomohiro Shirai; Satoshi Yamauchi; Hikari Kikuchi; Hiroki Fukumoto; Hiroto Tsukada; Tomohiro Agou, Elsevier
Applied Surface Science, 2022年03月01日, ［査読有り］ - Facet Dependence of Photocatalytic Activity in Anatase TiO2: Combined Experimental and DFT Study
T. Joutsuka; H. Yoshinari; S. Yamauchi, ラスト(シニア)オーサー, The Chemical Society of Japan
Bulletin of the Chemical Society of Japan, 2021年01月, ［査読有り］ - Low-pressure chemical vapor deposition of Cu on Ru using CuI as precursor
Taiji Nishikawa; Kensuke Horiuchi; Tatsuya Joutsuka; Satoshi Yamauchi, ラスト(シニア)オーサー, Elsevier
Journal of Crystal Growth, 2020年08月27日, ［査読有り］ - Low-pressure chemical vapor deposition of Cu on Ru substrate using CuI: Ab initio calculations
Tatsuya Joutsuka; Satoshi Yamauchi, ラスト(シニア)オーサー, Elsevier
Chemical Physics Letters, 2020年01月20日, ［査読有り］ - Selective Cu-deposition by LPCVD using CuI
T. Nishikawa; S. Yamauchi
Extended Abstract of ADMETA plus 2016 Asian Session, 2016年10月20日, ［査読有り］, ［招待有り］ - Enhanced Photo-Induced Property of LPCVD-TiO2 Layer on PCVD-TiOx Initial Layer
Satoshi Yamauchi; Keisuke Yamamoto; Sakura Hatakeyama
Journal of Materials Science and Chemical Engineering, 2015年06月18日, ［査読有り］ - Drastic Resistivity Reduction of CVD-TiO2 Layers by Post-Wet-Treatment in HCl Solution
Satoshi Yamauchi; Kazuhiro Ishibashi; Sakura Hatakeyama
Journal of Crystallization Process and Technology, 2015年01月16日, ［査読有り］ - Low Resistive TiO Deposition by LPCVD Using TTIP and NbF5 in Hydrogen-Ambient
Satoshi Yamauchi; Kazuhiro Ishibashi; Sakura Hatakeyama
Journal of Crystallization Process and Technology, 2015年01月12日, ［査読有り］ - Low Pressure Chemical Vapor Deposition of TiO2 Layer in Hydrogen-Ambient
Satoshi Yamauchi; Kazuhiro Ishibashi; Sakura Hatakeyama
Journal of Crystallization Process and Technology, 2014年10月07日, ［査読有り］ - Low Pressure Chemical Vapor Deposition of Nb and F Co-Doped TiO2 Layer
Satoshi Yamauchi; Shouta Saiki; Kazuhiro Ishibashi; Akie Nakagawa; Sakura Hatakeyama
Journal of Crystallization Process and Technology, 2014年04月03日, ［査読有り］ - Nondestructive evaluation of crystallized-particle size in lactose-powder by terahertz time-domain spectroscopy
Satoshi Yamauchi; Sakura Hatakeyama; Yoh Imai; Masayoshi Tonouchi
OPTICAL ENGINEERING, 2014年03月, ［査読有り］ - Plasma-assisted Chemical Vapor Deposition of Titanium Oxide layer at Room-Temperature
S. Yamauchi; H. Suzuki; R. Akutsu
Journal of Crystallization Process and Technology, 2014年01月08日, ［査読有り］ - Remote-plasma-assisted deposition of pentacene layer using atomic-hydrogen
S. Yamauchi; T. Minakuchi; M. Onodera
Journal of Crystallization Process and Technology, 2014年01月02日, ［査読有り］ - Terahertz time-domain spectroscopy to identify and evaluate anomer in lactose
S. Yamauchi; S. Hatakeyama; Y. Imai; M. Tonouchi
American Journal of Analytical Chemistry, 2013年12月16日, ［査読有り］ - ZnO Heteroepitaxy on Sapphire Using a Novel Buffer Layer of Titanium Oxide: Optoelectronic Behavior
Satoshi Yamauchi; Yoh Imai
Crystal Structure Theory and Applications, 2013年09月25日, ［査読有り］ - Evaluation of interfacial water on super-hydrophilic surface by THz-TDS
S. Yamauchi; Y. Imai; M. Tonouchi
The 38th Inte'l Conf. on Infrared, Millimeter, and Terahertz waves, proceeding, 2013年09月02日, ［査読有り］ - Measurements of Nonlinear Refractive Index of Optical Fiber by Using Multiple Interference in OFRR
Yoh Imai; Hirohisa Yokota; Satoshi Yamauchi
Photonics and Optoelectronics, 2013年07月, ［査読有り］ - ZnO Heteroepitaxy on Sapphire Using a Novel Buffer Layer of Titanium Oxide: Crystallographic Behavior
Satoshi Yamauchi; Yoh Imai
Crystal Structure Theory and Applications, 2013年06月 - Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition of TiO2 Thin Films for Highly Hydrophilic Performance
Satoshi Yamauchi; Yoh Imai
Crystal Structure Theory and Applications, 2013年03月, ［査読有り］ - Terahertz Waveguide Using Triangle Bundle Structure of Polymer Tubes
Yoh Imai; Satoshi Yamauchi; Hirohisa Yokota; Masayoshi Tonouchi
2013 38TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INFRARED, MILLIMETER, AND TERAHERTZ WAVES (IRMMW-THZ), 2013年, ［査読有り］ - Determination of stereoisomer in sugars by THz-TDS
Satoshi Yamauchi; Yoh Imai; Hirohisa Yokota; Masayoshi Tonouchi
The 22nd General Congress of the International Commission for Optics (ICO-22), Proc. of SPIE, 2011年08月, ［査読有り］ - Estimation of Fiber Parameters by Using OFRR Nonlinear Dynamics
Yoh Imai; Satoshi Yamauchi; Hirohisa Yokota
22ND CONGRESS OF THE INTERNATIONAL COMMISSION FOR OPTICS: LIGHT FOR THE DEVELOPMENT OF THE WORLD, 2011年, ［査読有り］ - Dielectric behavior in THz of Water influenced by alkaline- and alkali-earth-halides
S. Yamauchi; K. Takayama; Y. Imai; K. Takeya; M. Tonouchi
The 35th Inte'l Conf. on Infrared, Millimeter, and Terahertz waves, proceeding, 2010年09月05日, ［査読有り］ - THz-TDS study for water analysis on aqueous solution of alkali and alkaline-earth halides
T. Suzuki; K. Takayama; S. Yamauchi; Y. Imai; M. Tonouchi
2nd International Workshop on Terahertz Technology,Extended Abstracts, 2009年11月30日, ［査読有り］ - Coherent effect on decryption characteristics in message modulation type chaos secure communication systems using fiber-optic ring resonators
Y. Imai; S. Yamauchi; H. Yokota; T. Suzuki; K. Tsuji
Optics Communications, 2009年07月28日, ［査読有り］ - Proposal for nonlinear refractive index measurement by using spectral ratio in modulated OFRR dynamics
M. Mumuro; Y. Imai; S. Yamauchi; K. Suzuki
Optics Communications, 2008年02月, ［査読有り］ - Plasma-assisted epitaxial growth of nitrogen-doped and high-quality ZnO thin films
S. Yamauchi
SPIE Photonics West 2008, Proceedings of SPIE, 2008年01月, ［査読有り］, ［招待有り］ - Surface treatment of Si using hydrogen-plasma to improve optoelectronic property of ZnO on (111)Si
Satoshi Yamauchi; Hirokatsu Kawasaki; Takashi Hariu
Jpn.J.Appl.Phys., 2005年11月09日, ［査読有り］ - A novel buffer layer using titanium-oxide for ZnO epitaxial growth on sapphire
Toru Miyamura; Satoshi Yamauchi
Ext.Abstract of the 2005 int'l Conf. on Solid State Devices and Materials, 2005年09月13日 - Photoluminescence studies of undoped and nitrogen-doped ZnO layers grown by plasma-assisted epitaxy
S. Yamauchi; Y. Goto; T. Hariu
J. Crystal Growth, 2004年01月 - Plasma-assisted epitaxial growth of ZnO layer on sapphire by plasma-assisted epitaxy
S. Yamauchi; T. Hariu
MRS Symp. Proc., 2001年02月 - Plasma-assisted epitaxial growth of ZnO layer on sapphire
S. Yamauchi; T. Ashiga; A. Nagayama; T. Hariu
J. Crystal Growth, 2000年06月 - Suppresion of gate leakage current in n-AlGaAs/GaAs power HEMTs
A. Nagayama; S. Yamauchi; T. Hariu
IEEE Trans. on Electron Devices, 2000年03月 - Plasma-assisted epitaxial growth of ZnO layer on sapphire
S. Yamauchi; T. Ashiga; A. Nagayama; T. Hariu, サファイア上へのＺｎＯ薄膜の成長において成長初期段階での核発生確率が小さいことに着目し、成長初期段階での制御を行うことによりＺｎＯ薄膜の結晶性の改善が可能であることを示した。
9th Int'l Conf. on II-VI Compounds, 1999年11月 - Low temperature epitaxial growth of ZnO layer by plasma-assisted epitaxy
S. Yamauchi; H. Handa; A. Nagayama; T. Hairu, 酸素プラズマを用いてＺｎＯ薄膜を低温でエピタキシャル成長させることにより、膜中の酸素欠損を著しく減少させることが可能になり、良好な発光特性が得られることを示した。
Thin Solid Films, 1999年06月 - Total low temperature plasma process for epitaxial growth of compound semiconductors on Si: InSb/Si
S. Yamauchi; T. Hariu; H. Ohba; K. Sawamura, Ｓｉ上へのＩｎＳｂ薄膜のヘテロエピタキシャル成長を実現するためのＳｉ表面の清浄化及び不活性化プロセスを構築し、且つ、大きな格子不整合を緩和できる初期成長層を提案し、それらを用いることによりＩｎＳｂのヘテロエピタキシャル成長を可能にした。
Thin Solid Films, 1998年05月 - Low-temperature deposition of (Ba,Sr)TiO3 thin films for ULSI DRAM applications by the initial rf-sputtering step control
S. Takehiro; S. Yamauchi; M. Yoshimaru
Proc. 6th Int'l Symp. on ULSI Science and Technology, 1997年05月 - The simplest stacked BST capacitor for the future DRAMs using a novel low temperature growth enhanced crystallization
S. Takehiro; S. Yamauchi; M. Yoshimaru; H. Onoda
Symp. VLSI Technology Digest, 1997年05月 - High reliable lead-zirconate- titanate growth using reactive sputtering and rapid thermal annealing
S. Yamauchi; M. Yoshimaru
Integrated Ferroelectrics, 1997年02月 - High reliable PZT growth using conventional reactive sputtering and rapid thermal annealing
S. Yamauchi; M. Yoshimaru, 反応性スパッタ法によるＰＺＴの低温成長と急速熱処理により形成した強誘電体ＰＺＴ薄膜が優れた膜特性を有することを示した。
Abstract 8th ISIF, 1996年03月 - Growth of [111]-oriented lead zirconate titanate thin film with smooth surface to improve electrical properties
S. Yamauchi; M. Yoshimaru
Jpn. J. Appl. Phys., 1996年02月 - Quasi-epitaxial growth of PZT thin film tofabricate capacitor suitable for 256Mb DRAM and beyond
S. Yamauchi; M. Yoshimaru, 表面処理されたＰｔ上に反応性スパッタ法により低温で膜組成と分布を精確に制御したＰＺＴ層を形成し急速熱処理により再結晶化させることによりＰｔの原子配列に沿った原子配列のＰＺＴ層を形成でき、２５６Ｍｂ以上の集積度のＤＲＡＭに適用可能であることを示した。
Ext. Abstract SSDM, 1995年08月 - Plasma-cracked supply of group V and group VI elements for low temperature epitaxy
T. Hariu; S. Yamauchi; S. F. Fang; T. Ohshima; T. Hamada
J. Cryst. Growth, 1994年03月 - Crystallographic and electrical studies of sputtered lead-zirconate-titanate (PZT) thin films treated by rapid thermal annealing
S. Yamauchi; M. Yoshimaru; M. Ino, 反応性スパッタ法によるパイロクロア相ＰＺＴの低温成長及び急速熱処理によるペロブスカイト相への再結晶化が強誘電体ＰＺＴ薄膜の形成に非常に有効であることを示した。
Proc. Int'l Conf. AMDP, 1994年02月 - Electrical and crystallographic properties of sputtered- Pb(Zr,Ti)O3 films treated by rapid thermal annealing
S. Yamauchi; H. Tamura; M. Yoshimaru; M. Ino
Jpn. J. Appl. Phys., 1993年09月 - Plasma-process for substrate surface-cleaning and successive epitaxial growth of semiconductors
T. Hariu; S. Yamauchi; T. Ohshima; H. Takei; T. Hamada, プラズマ・アシステド・エピタキシー法がＳｉ表面の清浄化及びＳｉ上への化合物半導体の低温エピタキシャル成長に有効であることを示した。
Proc. APCPST. CJSPC and CCPST, 1992年02月 - Effect of enhanced reactivity in plasma-assisted epitaxial growth of ZnSe
S. Yamauchi; T. Hariu; S. Ono, ＺｎＳｅの成長の際に用いる水素及び水素・窒素混合ガスプラズマ中で生成される励起種をプラズマ発光分光分析により検出し、プラズマ励起窒素が浅いアクセプタとして導入されることを示した。
J. Cryst. Growth, 1991年08月 - Interface characterization of ZnSe/GaAs heterojunctions
T. Hariu; S. Yamauchi; H. Tanaka; S. Ono
Appl. Surf. Sci., 1991年07月 - Plasma-assisted epitaxial growth of ZnSe films in hydrogen plasma
S. Yamauchi; T. Hariu
MRS Symp. Proc., 1990年12月 - PLASMA-ASSISTED SURFACE-TREATMENT OF GAAS FOR IMPROVED ZNSE/GAAS HETEROSTRUCTURES
S YAMAUCHI; T KITAGAKI; T HARIU
INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES, 1990年, ［査読有り］ - IMPORTANCE OF V III SUPPLY RATIO IN LOW-TEMPERATURE EPITAXIAL-GROWTH OF INSB BY PLASMA-ASSISTED EPITAXY
T OHSHIMA; S YAMAUCHI; T HARIU
INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES, 1990年, ［査読有り］ - Optical emission spectroscopy in plasma-assisted epitaxial growth of compound semiconductors
T. Hariu; S. F. Fang; S. Yamauchi; T. Ohshima, プラズマ・アシステド・エピタキシー法により化合物半導体を低温エピタキシャル成長させる際にプラズマ中で生成される励起種を検出し、有効な励起種を示した。
Proc. 9th Int'l Symp. on Plasma Chemistry, 1989年09月 - Plasma-assisted surface treat- ment of GaAs for improved ZnSe/GaAs heterostructures
S. Yamauchi; T. Kitagaki; T. Hariu
Proc. 16th Symp. on GaAs & Related Compounds, 1989年09月 - Importance of V/III supply ratio in low temperature epitaxial growth of InSb by plasma -assisted epitaxy
T. Ohshima; S. Yamauchi; T. Hariu
Proc. 16th Symp. on GaAs & Related Compounds, 1989年09月 - ZnSe/GaAs heterointerface characterization by a new DLTS analysis
T. Hariu; S. Yamauchi; T. Kitagaki; Y. Numagami, ＧａＡｓの表面準位を測定する新しいＤＬＴＳ法の提案とその方法により評価したＺｎＳｅ／ＧａＡｓ界面の特性を示した。
Defect Control in Semiconductor, 1989年09月, ［査読有り］ - Plasma-assisted atomic layer epitaxial growth of ZnSe
T. Kitagaki; S. Yamauchi; T. Hariu, プラズマプロセスによりＺｎＳｅの低温原子層エピタキシャル成長が可能であることを示した。
Proc. JSAP-MRS Int'l Conf. on Electronic Materials, 1989年08月 - LOW-TEMPERATURE EPITAXIAL-GROWTH OF INSB ON GAAS
T HARIU; T OHSHIMA; S YAMAUCHI
INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES <D>, 1989年, ［査読有り］ - The effect of hydrogen plasma on the low temperature epitaxial growth of InSb
T. Ohshima; S. Yamauchi; T. Hariu
Jpn. J. Appl. Phys., 1989年01月 - Low temperature epitaxial growth of InSb on GaAs
T. Hariu; T. Ohshima; S. Yamauchi
Proc. 15th Symp. GaAs & Related Compounds, 1988年09月 - Plasma-assisted epitaxial growth of compound semiconductors
T. Hariu; Q. Z. Gao; S. F. Fang; S. Yamauchi; T. Kitagaki, プラズマ・アシステド・エピタキシー法がⅢ－Ⅴ族化合物半導体の低温エピタキシャル成長に有効であることを示した。
Proc. 1st China-Japan Symp. on Plasma Chemistry, 1988年07月 - Doping properties of ZnSe layers grown by plasma-assisted epitaxy
S. Yamauchi; K. Matsushita; T. Hariu, プラズマ・アシステド・エピタキシー法によるＺｎＳｅヘテロエピタキシャル成長におけるドーピング特性を明らかにした。
Proc. 8th Int'l Symp. on Plasma Chemistry, 1987年09月 - Photoelectric properties of ZnSe films grown by plasma-assisted epitaxy in mixed plasma gas H2+N2
S. Yamauchi; T. Hariu, 水素・窒素混合ガスプラズマを用いて,ＺｎＳｅのエピタキシャル成長を行い、窒素をプラズマ励起することにより浅いアクセプタ準位を導入できることを初めて示し、ｐ型ＺｎＳｅ形成の可能性を示した。
Appl. Surf. Sci., 1987年08月 - Low temperature epitaxial growth of highly-conductive ZnSe layers in mixed plasma of hydrogen and hydrogen chloride
S. Yamauchi; H. Hariu; K. Matsushita
Jpn. J. Appl. Phys, 1987年06月
MISC
- Nondestructive evaluation of Lactose including anomer and crystallized particles
S. Yamauchi; S. Hatakeyama; Y .Imai; M. Tonouchi
Proc. International Workshop on Optical Terahertz Science and Technology 2013, 2013年04月04日, ［査読有り］ - TERAHERTZ-TIME DOMAIN SPECTROSCOPY FOR LACTOSE ANALYSIS ON THE STEREOISOMER AND THE PARTICLE SIZE
S. Hatakeyama; S. Yamauchi; Y .Imai; M. Tonouchi
Proc. 3rd International Symposium on Terahertz Nanoscience, 2012年12月12日, ［査読有り］ - ANALYSIS OF MULTILAYERED THz WAVEGUIDE BY USING POLYMER TUBES WITH DIFFERENT INDICES
Y .Imai; T. Kuroda; S. Yamauchi; H. Yokota; M. Tonouchi
Proc. 3rd International Symposium on Terahertz Nanoscience, 2012年12月12日, ［査読有り］ - Qualitative and quantitative analysisi of lactose-anomer by THz-TDS
S. Yamauchi; Y .Imai; M. Tonouchi
Proc. International Symposium on Terahertz Nanoscience, 2011年09月, ［査読有り］ - Measurement of nonlinear refractive index by using input-output characteristics in OFRR nonlinear dynamics
Y. Imai; S. Yamauchi; H. Yokota; and S. Wei
Proc. 21th International Conference on Optical Fiber Sensors, 2011年08月, ［査読有り］ - Measurement of nonlinear refractive index by using input-output characteristics in OFRR nonlinear dynamics
Y. Imai; S. Yamauchi; H. Yokota; and S. Wei
Proc. 21th International Conference on Optical Fiber Sensors, 2011年06月, ［査読有り］ - Measurement of Water Absorption Coefficient using Terahertz Time-Domain Spectroscopy
T. Suzuki; K. Takayama; S. Yamauchi; Y. Imai
The 34th Inte'l Conf. on Infrared, Millimeter, and Terahertz waves, 2009年09月22日, ［査読有り］ - Effect of water cluster on absorption property in terahertz time-domain spectroscopy
S. Yamauchi; Y. Aoyagi; A. Okamoto; Y. Imai; M. Tonouchi
Join 32nd int’l Conf. on Infrared and Millimeter waves and 15th int’l Conf., 2007年09月, ［査読有り］ - プラズマCVD法により形成した親水性TiO2薄膜の膜厚特性
熊谷幸樹、宮村 徹、山内 智
第１４回電気学会東京支部茨城支所研究発表会 講演予稿集, 2006年12月02日 - プラズマCVD法による酸化チタン薄膜の形成と親水性特性
山内 智
第４４回CVD研究会 講演予稿集, 2006年11月30日, ［招待有り］ - Proposal for Nonlinear Refractive Index Measurement by Using Spectral Ratio in Modulated OFRR Dynamics
Y. Imai; M. Mimuro; S. Yamauchi; K. Suzuki
18th International Conference on Optical Fiber Sensors, 2006年10月23日, ［査読有り］ - Production of zinc-oxide mixture plasma for ZnO film synthesis based on mass-selective momentum control
Naoyuki Sato; Satoshi Yamauchi; Takashi Ikehata; Yasushi Nakano; Jin Oonuki
Plasma Science Symposium 2005/The 22nd Symposium on Plasma Processing, 2005年01月26日 - Characteristics of the magnetized rf oxygen plasma for ZnO film synthesis based on mass-selective momentum control
Yasushi Nakano; Naoyuki Sato; Takashi Ikehata; Satoshi Yamauchi; Jin Oonuki
Plasma Science Symposium 2005/The 22nd Symposium on Plasma Processing, 2005年01月26日 - Purity of source materials and elimination of residual impurities in ZnSe epitaxial growth
F. Ito; T. Hamada; S. Yamauchi; T. Hariu
Record of Alloy Semiconductor Phys. and Elect. Symp., 1993年10月 - Surface state characterization by a new DLTS analysis
H. Ohba; T. Hamada; S. Yamauchi; T. Hariu
Record of Alloy Semiconductor Phys. and Elect. Symp., 1992年10月 - Optical emission spectro- scopy in plasma-assisted epitaxial growth of ZnSe
S. Yamauchi; T. Hariu; S. Ono
Proc. Jpn. Symp. Plasma Chemistry, 1991年07月 - Composition control of InxGa1-xSb layers grown by plasma-assisted epitaxy
T. Ohshima; S. Yamauchi; T.Hariu
Record of Alloy Semiconductor Phys. and Elect. Symp., 1990年10月 - Heteroepitaxial growth of compound and alloy semiconductors by plasma-assisted epitaxy
T. Hariu; Q. Z. Gao; S. F. Fang; S. Yamauchi; T. Ohshima
Record of Alloy Semiconductor Phys. and Elect. Symp., 1989年10月 - Alloy semiconductors for a few micrometer-wavelength optoelectronic devices by plasma-assisted epitaxy
T. Hariu; Q. Z. Gao; S. F. Fang; S. Yamauchi; T. Ohshima
Record of Alloy Semiconductor Phys. and Elect. Symp., 1988年10月 - Characterization of H2+N2 mixed gas plasma for N-doped ZnSe epitaxial growth
S. Yamauchi; T. Hariu
Proc. Jpn. Symp. Plasma Chemistry, 1988年07月
書籍等出版物
講演・口頭発表等
- Study of chemical vapor deposition of Cu using CuI on Ta
Yu Miyamoto; Satoshi Yamauchi
Advanced Metallization Conference 2024 33rd Asian Session, 2024年10月03日
20241002, 20241004 - Selective chemical vapor deposition of Cu using CuI on fine-structure
Gento Toyoda; Satoshi Yamauchi
Advanced Metallization Conference 2023 32nd Asian Session, 2023年10月12日, 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会
20231012, 20231013 - Selective chemical vapor deposition of Cu using CuI-precursor for fine structured Metallization
Gento Toyoda; Satoshi Yamauchi
E-MRS Fall-Meeting 2023, 2023年09月19日, European Materials Research Society
20230918, 20230921 - A study of Cu-growth feature by selective-LPCVD using CuI-precursor
Gento Toyoda; Satoshi Yamauchi; Takashi Fuse; Yusuke Kubota
Advanced Metallization Conference 2022 31st Asian Session, 2022年10月13日, 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会
20221013, 20221014 - ヨウ化銅(Ⅰ)を原料とする選択LPCVD法によるCuの成長機構
豊田 絃人、菊池 ひかり、山内 智、布瀬 暁志、久保田 雄介
第69回 応用物理学会 春季学術講演会, 2022年03月25日, 日本応用物理学会
20220322, 20220326 - CuIを用いたLPCVD法によるRu上への大粒径Cu成長
菊池ひかり、山内智
第29回電気学会東京支部茨城支所研究発表会, 2021年12月11日, 電気学会
20211211, 20211211 - ヨウ化銅を用いたルテニウム上への銅の選択化学気相堆積
堀内健佑、山内 智
第８０回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月18日, 日本応用物理学会 - ヨウ化銅を用いたLPCVD法による銅膜の高速成長
堀内健佑 (丸谷美由紀; 城塚達也; 山内智 )
平成 30 年度 電気学会東京支部 茨城支所 研究発表会, 2018年11月17日, 電気学会 - αーラクトースによるTHz波発振特性
高橋伸介、山内 智
第２５回電気学会東京支部茨城支所研究発表会, 2017年11月18日, 電気学会 - 低圧化学気相堆積法を用いた高効率な光触媒性を有する酸化チタン薄膜の形成
木村慎二、山内 智
第２５回電気学会東京支部茨城支所研究発表会, 2017年11月18日, 電気学会 - CuIを原料とするLPCVD法による選択的なCu堆積Ⅱ
西川太二、山内 智
第２５回電気学会東京支部茨城支所研究発表会, 2017年11月18日, 電気学会 - ヨウ化銅のみを原料とする銅の気相選択成長
山内 智
TSV応用研究会, 2016年10月04日, TSV応用研究会, ［招待有り］ - 配向性制御によるアナターゼTiO2光触媒性の高効率化
山本佳祐; 山内智
第23回電気学会東京支部茨城支所研究発表会, 2015年11月28日, 電気学会東京支部茨城支所 - THz-TDSによる超親水性表面での水の分析
山内 智、今井 洋、斗内政吉
第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013年09月18日, 応用物理学会 - Nb-FドープCVD-TiO2薄膜のwet処理による特性改善
山内 智、石橋和洋
第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013年09月17日, 応用物理学会 - ＣＶＤ法による低抵抗酸化チタン薄膜の成長II
石橋和洋,永塚正浩,塚本修平,山内 智
第20回電気学会東京支部茨城支所研究発表会, 2012年11月24日 - CVD法による低抵抗酸化チタン薄膜の成長II
石橋和洋,永塚正浩,塚本修平,山内 智
第７３回応用物学会学術講演会, 2012年09月13日 - THz-TDSによる糖類の分析III
山内 智,畠山さくら,今井 洋,斗内政吉
第７３回応用物学会学術講演会, 2012年09月11日 - CVD法による低抵抗酸化チタン薄膜の成長
石橋和洋,齋木翔太,山内 智
第５９回応用物学関係連合講演会, 2012年03月18日 - ＣＶＤ法による低抵抗酸化チタン薄膜の成長I
齊木翔太,石橋和洋,山内 智
第19回電気学会東京支部茨城支所研究発表会, 2011年11月19日 - THz-TDSによる糖類の分析II
山内 智,高橋敦史,高山 超,今井 洋,斗内政吉
第７２回応用物学会学術講演会, 2011年09月 - 水素プラズマセルを用いたペンタセン薄膜の形成２
水口嵩敏、小野寺美幸、山内 智
第７２回応用物学会学術講演会, 2011年09月 - THz-TDSによる糖類の分析
山内 智,高橋篤史,高山 超,今井 洋,斗内政吉
第５８回応用物学関係連合講演会, 2011年03月 - 水素プラズマセルを用いたペンタセン薄膜の形成
水口嵩敏、水上洋典、山内 智
第５８回応用物学関係連合講演会, 2011年03月 - テラヘルツ時間領域分光法による不純物添加水の分析Ⅱ
高山 超,山内 智,今井 洋
第18回電気学会東京支部茨城支所研究発表会, 2010年11月 - ペンタセン薄膜の形成制御と評価
水上洋典,水口嵩敏、山内 智
第18回電気学会東京支部茨城支所研究発表会, 2010年11月 - プラズマＣＶＤ法を用いた超親水性酸化チタン薄膜の室温形成
圷 里紗,仲川明恵、山内 智
第18回電気学会東京支部茨城支所研究発表会, 2010年11月 - プラズマＣＶＤ法による親水性酸化チタン薄膜の室温形成Ⅱ
山内 智,圷 理紗,今井 洋
第71 回応用物理学会学術講演会, 2010年09月 - テラヘルツ波時間領域分光法による不純物添加水の分析II
高山 超,山内 智,今井 洋,斗内政吉
第５７回応用物学関係連合講演会, 2010年03月 - テラヘルツ時間領域分光法による不純物添加水の分析
高山 超,山内 智,今井 洋
第17回電気学会東京支部茨城支所研究発表会, 2009年11月 - ＰＣＶＤ法により室温形成した酸化チタン薄膜の紫外線処理効果
鈴木裕美,樋口智幸,山内 智
第７０回応用物理学会学術講演会, 2009年09月11日 - テラヘルツ波時間領域分光法による不純物添加水の分析
高山 超,鈴木健仁,山内 智,今井 洋
第７０回応用物理学会学術講演会, 2009年09月09日 - プラズマＣＶＤ法による酸化チタン薄膜の室温成長
樋口智幸,山内 智
第５６回応用物理学関係連合講演会, 2009年03月30日 - ＴＨｚ波を用いた水の透過型分光分析Ⅱ
野口 航,高山 超,山内 智,今井 洋
第５６回応用物理学関係連合講演会, 2009年03月30日 - テラヘルツ波時間領域分光法による水の構造分析Ⅱ
野口 航,高山 超,山内 智,今井 洋
第１６回電気学会東京支部茨城支所研究発表会, 2008年12月 - 酸化チタンバッファー層を用いたＰＡＥ－ＺｎＯ薄膜の高品質化
関 資明,水上洋典,山内 智
第１６回電気学会東京支部茨城支所研究発表会, 2008年12月 - 樋口智幸，山内 智
プラズマCVD法による酸化チタン薄膜の低温成長
第１６回電気学会東京支部茨城支所研究発表会, 2008年12月 - 親水性ナノ結晶を用いた大気中水分の吸着現象の制御
上野陽平,山内 智
第１６回電気学会東京支部茨城支所研究発表会, 2008年12月 - Plasma synthesis of zinc-oxide thin film based on mass-selective momentum control
Naoyuki Sato; Satoshi Yamauchi; Takashi Ikehata; Yasushi Nakano; Jin Oonuki
Plasma Science Symposium 2005/The 22nd Symposium on Plasma Processing, 2005年01月26日
所属学協会
共同研究・競争的資金等の研究課題
- 自己解離型化学気相法による金属層の選択形成
2020年02月 - 2023年03月 - CuIを原料とするCuの選択形成
基盤研究(C)
2017年04月 - 2020年03月
産業財産権
- 特開2023-50573, 特願2021-160747, 成膜方法及び成膜装置
布瀬暁志、久保田雄介、山内智 - 6711645, 特願2016-35760, 銅の成膜装置、銅の成膜方法、銅配線形成方法、銅配線
山内 智 - 6061197, テラヘルツ波を用いた異物検査装置及びその方法
和久井一則、今井 洋、山内 智 - 特許第4817336, 特開2009-198278, 特願2008-39555, テラヘルツ電磁波を用いた試料の構造分析方法およびテラヘルツ電磁波を用いた試料の構造分析装置
今井 洋,山内 智 - 特許第3283703号, 平成06年特許願第218743号, 半導体素子の製造方法
- US 6,284,587 B1, FABRICATING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
- 特開2002-266089, 特願2001-63342, 水の分解方法及びその装置
- 特許第3117320号, 平成05特許願第091618号, キャパシタ及びその製造方法
