ウドノ ハルヒコ鵜殿 治彦教授Haruhiko UDONO
■研究者基本情報
研究分野
経歴
- 2018年04月 - 現在, 茨城大学, 工学部 電気電子システム工学科, 教授
- 2018年04月 - 現在, 茨城大学, 大学院理工学研究科 電気電子システム工学専攻, 教授
- 2012年04月 - 2018年03月, 茨城大学, 工学部 電気電子工学科, 教授
- 2007年04月 - 2012年03月, 茨城大学工学部 電気電子工学科 准教授
- 2008年07月 - 2009年02月, カリフォルニア大学バークレー・客員研究員（文科省海外先進研究プログラム）
- 2004年04月 - 2007年03月, 茨城大学工学部 電気電子工学科 助教授
- 2001年04月 - 2004年03月, 筑波大学先端学際領域研究センタープロジェクト客員研究員（併任）
- 1996年04月 - 2004年03月, 茨城大学工学部 電気電子工学科 助手
委員歴
- 2025年01月 - 現在, 第９期副委員長、企画委員, 応用物理学会 シリサイド系半導体及び関連物質研究会
- 2020年09月 - 現在, 評議員, 日本熱電学会
- 2021年01月 - 2024年12月, 第８期副委員長、企画委員, 応用物理学会 シリサイド系半導体及び関連物質研究会
- 2020年04月 - 2023年09月, 応用物理学会プログラム委員 9.4熱電変換 世話人, 応用物理学会
- 2019年01月 - 2021年12月, 第７期副委員長、企画委員, 応用物理学会 シリサイド系半導体及び関連物質研究会
- 2010年01月 - 2012年12月, 第４期委員長, 応用物理学会 シリサイド系半導体及び関連物質研究会
外部リンク
研究者からのメッセージ
(研究者からのメッセージ)
(研究経歴)
1990年-1996年：InGaP系混晶を用いた緑色ダイオードの開発,1996年-2000年：ZnSeバルク単結晶の成長とその化学量論組成の評価法の開発,2000年-現在：β-FeSi2バルク単結晶の育成とその応用,2001年-現在：シリサイド半導体を用いた近赤外発光受光素子の開発,2007年-現在：シリサイド熱発電素子の開発
■研究活動情報
受賞
- 2024年11月, 令和6年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会 優秀発表賞 (指導学生), 低温・バイアス下におけるマグネシウムシリサイドフォトダイオードの分光感度, 電気学会東京支部茨城支所
古田良輔,(勝俣響, 坂根駿也, 鵜殿治彦) - 2024年11月, 令和6年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会 優秀発表賞（指導学生）, シリコン基板上のInSbのスパッタ成膜, 電気学会東京支部茨城支所
小金澤藍登;久保田啓聖;鮎川瞭仁;坂根駿也;鵜殿治彦 - 2024年11月, The 21st ICFD (2024), Best Presentation Award for Young Researcher（指導学生）, Epitaxial Growth of High-quality Mg3Sb2-based Thin Films and Their Thermoelectric Properties, Institute of Fluid Science, Tohoku University
Akito Ayukawa;N Kiridoshi;T Kuriyama;W Yamamoto;A Yasuhara;H Udono;S Sakane - 2024年03月, 第56回（2024年春季）応用物理学会講演奨励賞（共同研究者）, サファイア基板上エピタキシャルMg3Sb2薄膜の熱電特性評価, 応用物理学会
坂根 駿也;鮎川;瞭仁;切通 望;綿引 詩門;鵜殿 治彦 - 2023年09月, 第55回（2023年秋季）応用物理学会講演奨励賞（指導学生）, 熱光発電に向けたMg2Siフォトダイオードの電流電圧特性の評価, 応用物理学会
宮後 大介(坂根駿也, 鵜殿治彦) - 2022年12月, Semicon Japan, Academia Awards スポンサー賞, マグネシウムシリサイド半導体を用いた赤外線センサと熱光発電セルの開発, SEMI, Japan
茨城大学半導体研究室(鵜殿治彦、中村陸斗、宮後大介)
出版社・新聞社・財団等の賞 - 2022年12月, 令和4年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会 優秀発表賞 口頭発表(指導学生), 反応性イオンエッチングによるMg2Si基板表面の微細加工, 電気学会東京支部茨城支所
中村陸斗(中村陸斗、鵜殿治彦)
国内学会・会議・シンポジウム等の賞 - 2022年12月, 令和4年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会 優秀発表賞 口頭発表(指導学生), Mg2SiウェハのXRCピークとX線回折角の関係, 電気学会東京支部茨城支所
梅原 翼(梅原 翼;鵜殿治彦)
国内学会・会議・シンポジウム等の賞 - 2021年12月, 令和3年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会 優秀発表賞 口頭発表(指導学生), メッシュ状電極Mg2Siフォトダイオードの温度依存性, 電気学会東京支部茨城支所
市川雄大(市川雄大;吉田美沙、津谷大樹、鵜殿治彦)
国内学会・会議・シンポジウム等の賞 - 2021年12月, 令和3年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会 優秀発表賞 口頭発表(指導学生), リンイオン注入プロセスによるMg2Si-PDの作製, 電気学会東京支部茨城支所
中村陸斗(中村陸斗、鵜殿治彦)
国内学会・会議・シンポジウム等の賞 - 2019年07月, Young Scientist Award (APAC-Silicide 2019)(指導学生）, Comparison of crystalline quality and electrical property of Mg2Si crystals grown using PBN and PG graphite crucible, Committee of APAC-Silicide 2019, JSAP
Y. Fuse(Y. Fuse;R. Masubuchi;T. Ishikawa;K. Gosyuu;H. Udono)
国際学会・会議・シンポジウム等の賞 - 2018年11月, 平成30年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会 学生発表優秀賞口頭発表(指導学生), OCVD法によるMg2Siのライフタイム評価, 電気学会東京支部茨城支所
高橋史也(高橋史也;鵜殿治彦)
国内学会・会議・シンポジウム等の賞 - 2018年11月, 平成30年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会 学生発表優秀賞口頭発表(指導学生), Znを添加したMg2Sn結晶の融液成長, 電気学会東京支部茨城支所
佐藤彰(佐藤彰;小谷野慈;菅原劉丞;鵜殿治彦)
国内学会・会議・シンポジウム等の賞 - 2017年11月, 平成29年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会 学生発表優秀賞ポスター(指導学生), 溶融Mg2Si結晶の添加不純物による酸化効果への影響, 電気学会東京支部茨城支所
金田大(金田大;今野嵩;鵜殿治彦)
国内学会・会議・シンポジウム等の賞 - 2016年12月, 平成28年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会 学生発表優秀賞ポスター(指導学生), Mg2Siを用いたフォトダイオードの光検出器としての性能評価, 電気学会東京支部茨城支所
秋山智洋(秋山智洋;鬼沢雄馬;中野達哉;鵜殿 治彦;谷川俊太郎;津谷大樹)
国内学会・会議・シンポジウム等の賞 - 2016年07月, Young Scientist Award (APAC-Silicide 2016)指導学生, Committee of APAC-Silicide 2016, JSAP
Syu Konno(S. Konno;T. Otsubo;K. Nakano;H. Udono
国際学会・会議・シンポジウム等の賞 - 2015年03月, 第75回応用物理学会秋季学術講演会 講演奨励賞（指導学生）, 応用物理学会
堀信彦;江坂文孝;鵜殿治彦
国内学会・会議・シンポジウム等の賞 - 2014年11月, 第22回電気学会茨城支所 学生発表優秀賞口頭発表(指導学生), Mg2Si溶融結晶の格子熱伝導率の低減と熱電性能の改善, 電気学会東京支部茨城支所
大坪翼, 大竹秀明, 鵜殿治彦 - 2014年11月, 第22回電気学会茨城支所 学生発表優秀賞ポスター発表(指導学生), Mg2Si溶融結晶の格子熱伝導率の低減と熱電性能の改善, 電気学会東京支部茨城支所
石井慶祐, 大竹秀明, 大坪翼, 鵜殿治彦 - 2014年07月, Young Scientist Award (ICSS-Silicide 2014)(指導学生）, Evaluation of Mg2Si pn-junction depth by sputter etching, Committee of ICSS-Silicide 2014, JSAP
N. Hori;S. Hasunuma;F. Esaka;H. Udono - 2013年11月, 第21回電気学会茨城支所 学生発表優秀賞口頭発表(指導学生), マグネシウムシリサイド単結晶への不純物共添加効果, 電気学会東京支部茨城支所
大竹秀明,蓮沼慎,鵜殿治彦 - 2013年11月, 第21回電気学会茨城支所 学生発表優秀賞ポスター発表(指導学生), Mg2Si pn接合ダイオードの接合深さによる受光特性への影響, 電気学会東京支部茨城支所
堀信彦,鵜殿治彦,竹崎誠朗,大徳健太 - 2013年11月, 第21回電気学会茨城支所 学生発表優秀賞ポスター発表(指導学生), Mg2Si pn接合ダイオードの分光特性改善, 電気学会東京支部茨城支所
大徳 健太,竹崎 誠朗,打越 雅仁,鵜殿 治彦 - 2013年11月, 第22回電気学会茨城支所 学生発表優秀賞口頭発表(指導学生), Mg2Si溶融結晶の格子熱伝導率の低減と熱電性能の改善, 電気学会東京支部茨城支所
大坪翼, 大竹秀明, 鵜殿治彦 - 2013年07月28日, Young Scientist Award (Asia-Pasific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials, APAC-Silicide 2013), Committee of APAC-Silicide 2013, JSAP
S. Kojima;M. Imai;T. Kume;K. Tanigaki;H. Tajima;H. Udono - 2012年11月, 第20回電気学会茨城支所 学生発表優秀賞(指導学生), 不純物を添加したマグネシウムシリサイド結晶の成長, 電気学会東京支部茨城支所
蓮沼慎、石田大輔、鵜殿治彦 - 2010年11月, 第18回電気学会茨城支所 学生発表優秀賞(指導学生), 赤外受光素子用高純度MgSi結晶の電気特性, 電気学会東京支部茨城支所
八島研一、高橋良幸、御殿谷真、鵜殿治彦 - 2010年11月, 第18回電気学会茨城支所 学生発表優秀賞(指導学生), MgSiの結晶性と熱伝導率の関係, 電気学会東京支部茨城支所
國政恵美、高橋良幸、石田大輔、八島研一、磯田幸宏、上田聖、鵜殿治彦 - 2007年12月, 電気学会茨城支所 学生発表優秀賞(指導学生), Mg2Sn結晶の成長と評価, 電気学会東京支部茨城支所
串田圭祐、杉本和大、小口裕之、御殿谷真、鵜殿治彦 - 2005年11月, 電気学会茨城支所 学生発表最優秀賞(指導学生), β-FeSi2単結晶の熱電特性評価, 電気学会東京支部茨城支所
鈴木弘和、鵜殿治彦、菊間勲 - 2004年01月, 研究奨励賞（高柳建次郎財団）, 波長1.5μｍ帯で発光するＳｉ系発光ダイオードに関する研究, 公益財団法人 高柳建次郎財団
鵜殿治彦
出版社・新聞社・財団等の賞
論文
- Unveiling the effects of Sb or Bi doping on lattice strain and Raman spectra in Mg2Si single crystals
Kosuke Shimano; Shunya Sakane; Takehiro Ota; Kenichiro Takakura; Motoharu Imai; Haruhiko Udono
Journal of Applied Physics, 2025年06月07日 - 〔主要な業績〕Fabrication of Mg2Si linear photodiode arrays for SWIR imaging
Haruhiko Udono; Kaito Ojima; Naoki Imaizumi; Hideto Takei; Shunya Sakane, 筆頭著者, SPIE
Proc. of SPIE, Optical Components and Materials XXII, 2025年04月01日, ［査読有り］ - Molecular interaction-induced thermoelectric performance enhancement of graphene thin films with an agglomerated conductive polymer
Keito Uchida; Shunya Sakane; Takashi Shimizu; Akito Ayukawa; Haruhiko Udono; Hideki Tanaka
Materials Advances, 2025年 - 〔主要な業績〕Evaluation of Mg2Si TPV cells fabricated on n-Mg2Si substrate by thermal diffusion of Ag acceptor
Takumi Shimizu; Daisuke Miyago; Kosuke Shimano; Shunya Sakane; Haruhiko Udono, 責任著者
Japanese Journal of Applied Physics, 2024年12月05日, ［査読有り］ - 〔主要な業績〕Record High Thermoelectric Figure of Merit of a III-V Semiconductor InGaSb by Defects Engineering via the Addition of Excess Constituent Elements
Nirmal Kumar Velu; Yasuhiro Hayakawa; Haruhiko Udono; Shunya Sakane; Yuko Inatomi
ACS Applied Materials and Interfaces, 2024年09月04日, ［査読有り］ - 〔主要な業績〕Epitaxial growth of high-quality Mg3Sb2 thin films on annealed c-plane Al2O3 substrates and their thermoelectric properties
Akito Ayukawa; Nozomu Kiridoshi; Wakaba Yamamoto; Akira Yasuhara; Haruhiko Udono; Shunya Sakane, Abstract
High-quality epitaxial Mg3Sb2 thin films are promising thermoelectric materials to enable practical applications of compact and environmentally friendly thermoelectric conversion at room temperature. In this study, high-quality single-crystal Mg3Sb2 with high c-plane orientation were epitaxially grown directly on annealed c-Al2O3 substrates without passive layers. These thin films exhibited three times higher thermoelectric power factor than ever reported values due to high carrier mobility. The ultra-smooth surface of the annealed c-Al2O3 substrate facilitated the formation of high-quality Mg3Sb2 thin films without passive layers or polycrystalline interfaces that could be carrier scatters., IOP Publishing
Applied Physics Express, accepted, 2024年05月22日, ［査読有り］ - 〔主要な業績〕Precise synthesis of copper selenide nanowires with tailored Cu vacancies through photo-induced reduction for thermoelectric applications
Shunya Sakane; Tatsuki Miura; Kazuki Munakata; Yusuke Morikawa; Shunichiro Miwa; Riku Yamanaka; Toshiki Sugai; Akito Ayukawa; Haruhiko Udono; Hideki Tanaka, Royal Society of Chemistry (RSC)
Nanoscale Advances, 2024年04月, ［査読有り］ - 〔主要な業績〕Control of Ag acceptor concentration and pn-junction depth in single crystalline Mg2Si photodiodes
Shunya Sakane; and Haruhiko Udono, 責任著者
AIP Advances, 2023年11月, ［査読有り］ - 〔主要な業績〕Effects of Te-doping on the thermoelectric properties of InGaSb crystals
V. Nirmal Kumar; Y. Hayakawa; H. Udono; and Y. Inatomi
J Mater Sci: Mater Electron, 2023年06月05日, ［査読有り］ - 〔主要な業績〕Thermoelectric properties of Zn-doped In0.95Ga0.05Sb crystals grown by directional solidification
V. Nirmal Kumar; Y. Hayakawa; H. Udono; and Y. Inatomi
Journal of Materials Science, 2023年05月10日, ［査読有り］ - 〔主要な業績〕Study of deep levels in the Mg2Si grown by vertical Bridgman method
Kouki Fukushim; Naoki Mizunuma; Tatsuya Uematsu; Kyoko Shimizu; Takehiro Ota; Isao Tsunoda; Haruhiko UDONO; Kenichiro Takakura, Abstract
The electrical characteristics of a Mg2Si p–n junction diode was investigated. The n-Mg2Si substrate was grown by using the vertical-Bridgeman method. A p–n junction was fabricated by the thermal diffusion of Ag as an acceptor. The reverse current of the Au/Ag electrode diode was larger than that of the Ag electrode diode. The trap levels in the n-Mg2Si bulk were investigated using deep-level transient spectroscopy. The magnitude of DLTS signal of E1 with the Au/Ag electrode diode was larger than that for the signals at the other trap levels. The E1 level corresponds to an Au-related trap that diffuses via thermal annealing during the alloying process. The open-circuit-voltage-decay study suggests the existence of a minority-carrier trap in n-Mg2Si. The minority-carrier lifetime was shorter for Au/Ag electrode diodes. Therefore, Au may be involved in the formation of minority-carrier traps, as well as in the formation of majority-carrier traps., IOP Publishing
Jpn. J. Appl. Phys., 2023年05月01日, ［査読有り］ - 〔主要な業績〕Effect of Impurity Doping on Thermoelectric Properties of Melt-Grown Mg2Sn Crystals
Hidetsugu Motoki; Naofumi Tsuchiya; Sho Sato; Megumu Koyano; and Haruhiko Udono, 責任著者
JJAP Conf. Proc., 2023年04月26日, ［査読有り］ - 〔主要な業績〕Growth of 2-inch diameter Mg2Si crystal by the VGF method under Ar normal pressure
Tsubasa Umehara; Naoki Mizunuma; and Haruhiko Udono, 責任著者
JJAP Conf. Proc., 2023年04月26日, ［査読有り］ - Analysis of grain growth behavior of multicrystalline Mg2Si
Deshimaru Takumi; Yamakoshi Kenta; Kutsukake Kentaro; Kojima Takuto; Umehara Tsubasa; Udono Haruhiko; Usami Noritaka
Jpn. J. Appl. Phys., 2022年11月28日, ［査読有り］ - 〔主要な業績〕Effects of dopant type and concentration on surface recombination velocity in hydrogen-terminated silicon
Nobue Araki; Haruhiko Udono, Abstract
Isolating the effects of the type and concentration of the dopant in lightly doped regions in the reaction between hydrogen-terminated silicon surface and atmospheric impurities in air is very difficult. However, changes in the surface recombination sites can be analyzed accurately through recombination lifetime measurements performed using the microwave photoconductive decay method. Thus, we investigated variations in the effective recombination lifetime in hydrogen-terminated silicon surfaces over time in air for different dopant types and concentrations. For both p-type and n-type silicon wafers, surface recombination velocity, S, increased with decreasing resistivity, namely, increasing dopant concentration. The time-dependent variations of the S for the p-type wafers decreased, and those for the n-type wafers increased with decreasing resistivity. Thus, it was shown that the time-dependent variation of the S depends on the type and concentration of the dopant used., IOP Publishing
Japanese Journal of Applied Physics, 2022年08月19日, ［査読有り］ - 〔主要な業績〕Silicon meets group-II metals in energy and electronic applications—How to handle reactive sources for high-quality films and bulk crystals
T. Suemasu; K.O. Hara; H. Udono; Manabu and M. Imai
J. Appl. Phys., 2022年05月20日, ［査読有り］, ［招待有り］ - 〔主要な業績〕Local structure analysis of Sb, Bi, and Ag dopant atoms in Mg2Si semiconductor by,x-ray absorption spectroscopy and first- principles calculation
Mamoru Kitaura; Shinta Wantanabe; Toshiaki Ina; Motoharu Imai; Haruhiko Udono; Manabu Ishizaki; Hisanori Yamane; Taku Tanimoto; and Akimasa Ohnishi, AIP Publishing
J. Appl. Phys., 2021年12月30日, ［査読有り］ - 〔主要な業績〕Single crystal growth of small-angle-grain-boundary-free Mg2Si via vertical Bridgman method
Ryohei Masubuchi; Babak Alinejad; Yoshiaki Hara; Haruhiko Udono, ラスト(シニア)オーサー, Elsevier BV
Journal of Crystal Growth, 2021年07月17日, ［査読有り］ - Evaluation of Magnesium Tin Silicide Sintered Bodies Prepared by Liquid-Phase Pressure-Less Sintering
Inoue, H.; Kato, M.; Udono, H.; Kobayashi, T.
Materials Transaction, 2021年04月02日, ［査読有り］ - Power Generation Efficiency of Thermoelectric Elements with a Trapezoidal Section
H. Inoue; H. Udono; M. Kato; T. Kobayashi
Journal of Electric Materials, 2020年10月29日, ［査読有り］ - 〔主要な業績〕Interface driven energy-filtering and phonon scattering of polyaniline incorporated ultrathin layered molybdenum disulphide nanosheets for promising thermoelectric performance
R. Abinaya a; J. Archana; S. Harish; M. Navaneethan; C. Muthamizhchelvan; S. Ponnusamy; H. Udono; R. Sugahara; Y. Hayakawa; M. Shimomura
Journal of Colloid and Interface Science, 2020年09月23日, ［査読有り］ - First principle band calculations of Mg2Si thin films with (001) and (110) orientations
Masahisa Takizawa; Takashi Komine; Haruhiko Udono; Tomosuke Aono, Japan Society of Applied Physics
JJAP Conf. Proc., 2020年08月, ［査読有り］ - Observation of Magnesium-Induced Crystallization (Mg-MIC) of a-Si Thin Film
Takashi Ikehata; Ryota Sasajima; Motomu Saijo; Naoyuki Sato; Haruhiko Udono, Japan Society of Applied Physics
JJAP Conf. Proc., 2020年08月, ［査読有り］ - Semiconducting Silicides Green Technology
Haruhiko UDONO, Institute of Physics Publishing
Japanese Journal of Applied Physics, 2020年04月01日 - An Approach to Optimize the Thermoelectric Properties of III–V Ternary InGaSb Crystals by Defect Engineering via Point Defects and Microscale Compositional Segregations
V. Nirmal Kumar; Y. Hayakawa; H. Udono; Y. Inatomi, American Chemical Society (ACS)
Inorg. Chem., 2019年09月03日, ［査読有り］ - 〔主要な業績〕Origins of the nitrogen-related deep donor center and its preceding species in nitrogen-doped silicon determined by deep-level transient spectroscopy
Nakamura Minoru; Murakami Susumu; Udono Haruhiko, Japan Society of Applied Physics
Applied Physics Express, 2019年02月01日, ［査読有り］ - Enhanced thermoelectric properties of InSb: Studies on In/Ga doped GaSb/InSb crystals
V. Nirmal Kumar; Y. Hayakawa; H. Udono; Y. Inatomi
Intermetallics, 2019年02月01日, ［査読有り］ - Evaluation of carrier lifetime in Mg2Si pn-juction photodiode using OCVD method
Haruhiko Udono; Fumiya Takahashi, 筆頭著者
Proceedings of 8th Silicon Forum, 2018年11月19日 - Characterization of iron in silicon by low-temperature photoluminescence and deep-level transient spectroscopy
Minoru Nakamura; Susumu Murakami; Haruhiko Udono, American Institute of Physics Inc.
Journal of Applied Physics, 2018年03月14日, ［査読有り］ - Crystal growth of Mg2Si for IR-detector
Toshio Tokairin; Junya Ikeda; Haruhiko Udono
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2017年06月, ［査読有り］ - Influence of Humidity, Volume Density, and MgO Impurity on Mg2Si Thermoelectric-Leg
Y. Mito; A. Ogino; S. Konno; H. Udono
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2017年05月, ［査読有り］ - Optical transmittance and reflectance studies and evidence of weak electron–phonon interaction in Type-I Ge clathrate Ba8Ga16Ge30
Haruhiko Udono; Motoharu Imai; Shuhei Kojima; Tetsuji Kume; Katsumi Tanigaki; Hiroyuki Tajima
J. Appl. Phys., 2017年05月, ［査読有り］ - Observation of pn-junction depth in Mg2Si diodes fabricated by short period thermal annealing
Y. Onizawa; T. Akiyama; N. Hori; F. Esaka; Haruhiko Udono
JJAP Conf. Proc., 2017年05月01日, ［査読有り］ - Fabrication of Mg2Si pn-junction Photodiode with Shallow Mesa-structure and Ring Electrode
T. Akiyama; N. Hori; S. Tanigawa; D. Tsuya; Haruhiko Udono
JJAP Conf. Proc., 2017年05月01日, ［査読有り］ - Oxidation resistance of impurity doped Mg2Si grown from the melt
Shu Konno; Tsubasa Otubo; Kohei Nakano; Haruhiko Udono
JJAP Conf. Proc., 2017年05月01日, ［査読有り］ - Preparation and thermoelectric properties of iron disilicide
Isoda, Y.; Udono, H.
Materials, Preparation, and Characterization in Thermoelectrics, 2017年 - Effects of varying indium composition on the thermoelectric properties of InxGa1-xSb ternary alloys
V. Nirmal Kumar; M. Arivanandan; T. Koyoma; H. Udono; Y. Inatomi; Y. Hayakawa
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2016年10月, ［査読有り］ - Thin film of guest-free type-II silicon clathrate on Si(111) wafer
Tetsuji Kume; Fumitaka Ohashi; Kentaro Sakai; Atsuhiko Fukuyama; Motoharu Imai; Haruhiko Udono; Takayuki Ban; Hitoe Habuchi; Hidetoshi Suzuki; Tetsuo Ikari; Shigeo Sasaki; Shuichi Nonomura
THIN SOLID FILMS, 2016年06月, ［査読有り］ - X-ray photoelectron spectroscopy studies on single crystalline β-FeSi2
Wei Mao; Haruhiko Udono; Kenji Yamaguchi; Takayuki Terai; Hiroyuki Matsuzaki
Thin Solid Films, 2016年05月, ［査読有り］ - Non-destructive depth analysis of the surface oxide layer on Mg2Si with XPS and XAS
Fumitaka Esaka; Takehiro Nojima; Haruhiko Udono; Masaaki Magara; Hiroyuki Yamamoto
Surf. Interface Anal., 2016年02月22日, ［査読有り］ - Observation of pn-junction depth in Mg2Si photodiode fabricated by thermal diffusion of Ag acceptor
Haruhiko Udono; Nobuhiko Hori; Tomohiro Akiyama; Yuuma Onizawa; Tsubasa Ootsubo; Fumitaka Esaka
2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS), 2016年, ［査読有り］ - Transformation of the nickel donor center by annealing in silicon measured by deep-level transient spectroscopy
Minoru Nakamura; Susumu Murakami; Haruhiko Udono
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016年01月, ［査読有り］ - Thermal expansion of semiconducting silicides beta-FeSi2 and Mg2Si
Motoharu Imai; Yukihiro Isoda; Haruhiko Udono
INTERMETALLICS, 2015年12月, ［査読有り］ - Tailoring thermoelectric properties of nanostructured crystal silicon fabricated by infrared femtosecond laser direct writing (vol 212, pg 715, 2015)
Masahiro Mori; Yasuhiko Shimotsuma; Tomoaki Sei; Masaaki Sakakura; Kiyotaka Miura; Haruhiko Udono
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2015年08月, ［査読有り］ - Crystal growth and characterization of Mg2Si for IR-detectors and thermoelectric applications
Haruhiko Udono; Hiroyuki Tajima; Masahito Uchikoshi; Masaru Itakura
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015年07月, ［査読有り］ - Characterization of band structure of K8Ga8Si38 clathrate by optical measurement
Masaru Iioka; Haruhiko Udono; Motoharu Imai; Masato Aoki
JJAP Conf. Proc., 2015年06月08日, ［査読有り］ - Fabrication and characterization of Mg2Si pn-junction photodiode with a ring electrode
K. Daitoku; M. Takezaki; S. Tanigawa; D. Tsuya; H. Udono
JJAP Conf. Proc., 2015年06月08日, ［査読有り］ - Tailoring thermoelectric properties of nanostructured crystal silicon fabricated by infrared femtosecond laser direct writing
Masahiro Mori; Yasuhiko Shimotsuma; Tomoaki Sei; Masaaki Sakakura; Kiyotaka Miura; Haruhiko Udono
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2015年04月, ［査読有り］ - Nanostructuring in Indirect Band-gap Semiconductor Using IR Femtosecond Double Pulses
Shimotsuma Yasuhiko; Sei Tomoaki; Sakakura Masaaki; Miura Kiyotaka; Udono Haruhiko
JOURNAL OF LASER MICRO NANOENGINEERING, 2015年01月15日, ［査読有り］ - Band structure characterization of KGaSi clathrates by optical measurement
Masaru Iioka; Haruhiko Udono; Motoharu Imai; Masato Aoki
JJAP Conference Proceedings, 2015年, ［査読有り］ - Surface aspects of discolouration in Bisphenol A Polycarbonate (BPA-PC), used as lens in LED-based products
M. Yazdan Mehr; W. D. van Driel; H. Udono; G. Q. Zhang
OPTICAL MATERIALS, 2014年11月, ［査読有り］ - Depth profiles of the nickel donor center in p-type silicon diffused with dilute nickel measured by deep-level transient spectroscopy
Minoru Nakamura; Susumu Murakami; Haruhiko Udono
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014年09月, ［査読有り］ - Thermoelectric Properties of p-Type Mg2Si0.25Sn0.75 Doped with Sodium Acetate and Metallic Sodium
Satoki Tada; Yukihiro Isoda; Haruhiko Udono; Hirofumi Fujiu; Shunji Kumagai; Yoshikazu Shinohara
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2014年06月, ［査読有り］ - Convenient Melt-Growth Method for Thermoelectric Mg2Si
K. Kambe; H. Udono
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2014年06月, ［査読有り］ - Preparation and thermoelectric properties of Mg2Si0.9-xSnx Ge0.1
S. Tada; Y. Isoda; H. Udono; H. Fujiu; S. Kumagai; Y. Shinohara
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 2013年12月, ［査読有り］ - Solid-phase growth of Mg2Si by annealing in inert gas atmosphere
Takashi Ikehata; Tatsuya Ando; Takuya Yamamoto; Yuta Takagi; Naoyuki Sato; Haruhiko Udono
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 2013年12月, ［査読有り］ - Solution growth and optical characterization of Mn11Si19
Masaru Iioka; Daisuke Ishida; Shyuhei Kojima; Haruhiko Udono
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 2013年12月, ［査読有り］ - Solid evidence for magnetic moment enhancement in micro-particles of Mn11Si19
Kiyotaka Hammura; Haruhiko Udono; Tomosuke Aono
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 2013年12月, ［査読有り］ - Spectral characterization of Mg2Si pn-junction diode depended on RTA periods
M. Takezaki; Y. Yamanaka; M. Uchikoshi; H. Udono
Physica Status Solidi C, 2013年11月13日, ［査読有り］ - Energy level(s) of the dissociation product of the 1.014 eV photoluminescence copper center in n-type silicon determined by photoluminescence and deep-level transient spectroscopy
Minoru Nakamura; Susumu Murakami; Haruhiko Udono
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013年07月, ［査読有り］ - シリサイド半導体の結晶成長とデバイス応用
鵜殿 治彦, 豊富な資源量の元素で構成されるシリサイド半導体は、材料を大量消費するエネルギー利用の分野において資源・環境リスクの面から優れたポテンシャルを秘めている。本稿では、我々が進めてきたβ-FeSi_2とMg_2Siの結晶成長技術と基本的な電気・光学特性、および熱電変換や熱光発電,赤外センサを目指したデバイス開発動向について紹介する。, 一般社団法人電子情報通信学会
電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 2013年05月09日, ［査読有り］ - Infrared photoresponse from pn-junction Mg2Si diodes fabricated by thermal diffusion
Haruhiko Udono; Yusuke Yamanaka; Masahito Uchikoshi; Minoru Isshiki
Journal of Physics and Chemistry of Solids, 2013年02月, ［査読有り］ - Thermoelectric properties of Na-doped Mg2Si0.25Sn0.75
S. Tada; Y. Isoda; H. Udono; H. Fujiu; S. Kumagai; Y. Shinohara, We have investigated the thermoelectric properties of Na-doped Mg2Si0.25Sn0.75 solid solutions prepared by liquid-solid reaction and hot-pressing methods. Na doping was carried out by mixing sodium acetate (CH3COONa) into the starting materials Mg (nominal purity: 99.9 %), Sn (99.999 %) granules, and Si powder (99.9999 %). The Na-doped samples had p-type conductivity with positive signs of Seebeck and Hall coefficients. Furthermore, hole concentrations increased rapidly with an increase in the amount of Na doping. These results revealed that the Na atoms acted as acceptors in Mg2Si0.25Sn0.75. The Seebeck coefficient of Na-doped samples showed positive values between 300 and 750 K. A maximum power factor of 0.88 × 10-3 WmK-2 was observed for the Mg2Na0.020Si0.25Sn0.75 sample at 500 K. The dimensionless figure of merit ZT reached 0.17 at 450 K for all Na-doped samples., The Materials Research Society of Japan
Trans. Mat. Res. Soc. Jpn., 2013年01月07日, ［査読有り］ - Transformation reactions of copper centers in the space-charge region of a copper-diffused silicon crystal measured by deep-level transient spectroscopy
Minoru Nakamura; Susumu Murakami; and Haruhiko Udono
Journal of Applied Physics, 2012年09月27日, ［査読有り］ - Copper centers in copper-diffused n-type silicon measured by photoluminescence and deep-level transient spectroscopy
Minoru Nakamura; Susumu Murakami; and Haruhiko Udono
Applied Physics Letters, 2012年07月27日, ［査読有り］ - Growth condition dependence of direct bandgap in β-FeSi2 epitaxial films grown by molecular beam epitaxy
K. Noda; Y. Terai; N. Miura; H. Udono; Y. Fujiwara
Physica Procedia, 2012年02月, ［査読有り］ - Growth condition dependence of direct bandgap in β-FeSi2 epitaxial films grown by molecular beam epitaxy
K. Noda; Y. Terai; N. Miura; H. Udono; Y. Fujiwara
Physics Procedia, 2012年, ［査読有り］ - Bandgap modifications by lattice deformations in beta-FeSi2 epitaxial films
Y. Terai; K. Noda; K. Yoneda; H. Udono; Y. Maeda; Y. Fujiwara
THIN SOLID FILMS, 2011年10月, ［査読有り］ - Band-gap Modifications of β-FeSi2 Epitaxial Films by Lattice Deformations
Y. Terai; K. Noda; K. Yoneda; H. Udono; Y. Maeda; Y. Fujiwara
Thin Solid Films, 2011年10月, ［査読有り］ - Magnetisation of bulk Mn11Si19 and Mn4Si7
K. Hammura; H. Udono; I. J. Ohsugi; T. Aono; E. De Ranieri
Thin Solid Films, 2011年10月, ［査読有り］ - Solution Growth and Thermoelectric Properties of Single-Phase MnSi1.75−x
H. Udono; K. Nakamori; Y. Takahashi; Y. Ujiie; I. J. Ohsugi; T. Iida
J. Electron. Mat., 2011年07月, ［査読有り］ - Photoemission study on the valence band of a ß-FeSi2 thin film using synchrotron radiation
H Fujimoto; K. Ogawa; K. Takarabe; H. Udono; H. Sugiyama; J. Azuma; K. Takahashi; M. Kamada
Dalton Trans., 2011年07月, ［査読有り］ - Semiconducting behavior of type-I Si clathrate K8Ga8Si38
M. Imai; A. Sato; H. Udono; Y. Imai; H. Tajima
Dalton Trans., 2011年05月, ［査読有り］ - Surface analysis of single-crystalline β-FeSi2
Y. Yamada; W. Mao; H. Asaoka; H. Yamamoto; F. Esaka; H. Udono; T. Tsuru
Physica Procedia, 2011年01月, ［査読有り］ - Electrical Properties of Ca2Si Sintered Compact Synthesized by Spark Plasma Sintering
C. Wen; T. Nonomura; A. Kato; Y. Kenichi; H. Udono; K. Isobe; M. Otake; Y.Kubota; T. Nakamura; Y. Hayakawa; and H. Tatsuoka
Physica Procedia, 2011年01月, ［査読有り］ - Surface characterization of homoepitaxial β-FeSi2 film on β-FeSi2 (111) substrate by X-ray photoelectron and absorption spectroscopy
F. Esaka; H. Yamamoto; H. Udono; N. Matsubayashi; K. Yamaguchi; S. Shamoto; M. Magara; T. Kimura
Physica Procedia, 2011年01月, ［査読有り］ - Preparation of schottky contacts on n-type Mg2Si single crystalline substrate
K.Sekino; M.Midonoya; H. Udono; Y. Yamada
Physica Procedia, 2011年01月, ［査読有り］ - Surface structures of β-FeSi2 formed by heat-treatment in ultra-high vacuum and their influence on homoepitaxial growth
S. Matsumura; K. Ochiai; H. Udono; F. Esaka; K. Yamaguchi; H. Yamamoto; K. Houjo
Physica Procedia, 2011年01月, ［査読有り］ - Spectroscopic characterization of β-FeSi2 single crystals and homoepitaxial β-FeSi2 films by XPS and XAS
F. Esaka; H. Yamamoto; H. Udono; N. Matsubayashi; K. Yamaguchi; S. Shamoto; M. Magara; T. Kimura
Appl. Surf. Sci., 2011年01月, ［査読有り］ - Effect of temperature modulation during temperature gradient solution growth of β-FeSi2
Y. Ujiie; K. Nakamori; S. Mashiko; H. Udono; T. Nagata
Physica Procedia, 2011年01月, ［査読有り］ - The local structure of α-FeSi2 under high pressure
Y.Mori; H. Nakano; G. Sakane; G. Aquilanti; H. Udono; K. Takarabe
phys. stat. sol. (b), 2009年05月, ［査読有り］ - Surface preparation and characterization of single crystalline β-FeSi2
Y. Yamada; I. Wakaya; S. Ohuchi; H. Yamamoto; H. Asaoka; S. Shamoto; H. Udono
Surface Science, 2008年09月, ［査読有り］ - Crystal growth of ZnO bulk by CVT method using PVA
H. Udono; Y. Sumi; S. Yamada; I. Kikuma
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2008年04月, ［査読有り］ - Solution Growth and Low-Temperature Thermoelectric Properties of Single Crystalline ß-FeSi2
H. Udonoa; H. Suzuki; K. Goto; S. Mashiko; M. Uchikoshi; M. Issiki
Proceedings of Int. Conf. Thermoelectrics, 2008年04月 - Local neutron transmutation doping using isotopically enriched silicon film
Yoichi Yamada; Hiroyuki Yamamoto; Hironori Ohba; Masato Sasase; Fumitaka Esaka; Kenji Yamaguchi; Haruhiko Udono; Shin-Ichi Shamoto; Atsushi Yokoyama; Kilchi Hojou
JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS, 2007年11月, ［査読有り］ - Polarized optical reflection study on single crystalline beta-FeSi2
Haruhiko Udono; Isao Kikuma; Hiroyuki Tajima; Kenichi Takarabe
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2007年10月, ［査読有り］ - Growth of β-FeSi2 thin films on β-FeSi2 (110) substrates by molecular beam epitaxy
M. Muroga; H. Suzuki; H. Udono; I. Kikuma; A. Zhuravlev; K. Yamaguchi; H. Yamamoto; T. Terai
Thin Solid Films, 2007年08月, ［査読有り］ - Preparation of β-FeSi2 substrates by molten salt method
M. Okubo; T. Ohishi; A. Mishina; I. Yamauchi; H. Udono; T. Suemasu; T. Matsuyama; H. Tatsuoka
Thin Solid Films, 2007年08月, ［査読有り］ - Melt growth and characterization of Mg2Si bulk crystals
Daiki Tamura; Ryo Nagai; Kazuhiro Sugimoto; Haruhiko Udono; Isao Kikuma; Hiroyuki Tajima; Isao J. Ohsugi
THIN SOLID FILMS, 2007年08月, ［査読有り］ - Single crystalline β-FeSi2 grown using high-purity FeSi2 source
Kouhei Gotoh; Hirokazu Suzuki; Haruhiko Udono; Isao Kikuma; Fumitaka Esaka; Masahito Uchikoshi; Minoru Isshiki
Thin Solid Films, 2007年08月, ［査読有り］ - Novel photo-sensitive materials for hydrogen generation through photovoltaic electricity
Kenji Yamaguchi; Haruhiko Udono
International Journal of Hydrogen Energy, 2007年01月03日, ［査読有り］ - Thermoeletric properties of solution grown β-FeSi2 single crystals
Hirokazu Suzuki; Haruhiko Udono; Isao Kikuma
Mater. Trans., 2006年06月15日, ［査読有り］ - Solution growth of n-type β-FeSi2 single crystals using Ni-doped Zn solvent
H. Udono; Y. Aoki; H. Suzuki; I. Kikuma
J. Crystal Growth, 2006年05月24日, ［査読有り］ - Effect of thermal annealing on the photoluminescence of β-FeSi2 films on Si substrate
Kenji Yamaguchi; Kenichiro Shimura; Haruhiko Udono; Masato Sasase; Hiroyuki Yamamoto; Shin-ichi Shamoto; Kiichi Hojou
Thin Solid Films, 2005年11月23日 - High interband transitions in β-FeSi2 under pressure
Yasunobu SUMIDA; Yoshihisa MORI; Kenichi TAKARABE; Haruhiko UDONO; Isao KIKUMA
Jpn. J. Appl. Phys., 2005年10月11日, ［査読有り］ - Growth and characterization of Mg2Si bulk crystals
Haruhiko Udono; Ryo Nagai; Daiki Tamura; Isao Kikuma
The 3rd Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology, Beijin China, 2005年10月 - Solution growth of N-type β-FeSi2 single crystals using Sn-solvent
Haruhiko Udono; Kazutaka Matsumura; Isao J. Osugi; Isao Kikuma
J. Crystal Growth, 2004年12月15日, ［査読有り］ - Solution Growth of high quality p-type β-FeSi2 single crystals using Zn solvent
Hauruhiko Udono; Yuta Aoki; Isao Kikuma; Hiroyuki Tajima; Isao J. Ohsugi
J. Crystal Growth, 2004年12月15日, ［査読有り］ - Structural study of FeSi2 under pressure
K. Takarabe; T. Ikai; Y. Mori; H. Udono; I. Kikuma
J. Appl. Phys., 2004年11月13日, ［査読有り］ - Anisotropy of refractive indes of β-FeSi2
H. Udono; I. Kikuma; H. Tajima; K. Takarabe
Proc. 1st Inter. Conf. on Group IV Photonics, 2004年09月29日, ［査読有り］ - Indirect optical absorption of single crystalline β-FeSi2
Haruhiko Udono; Isao Kikuma; Tsuyoshi Okuno; Yasuaki Masumoto; Hiroyuki Tajima
Appl. Phys. Lett., 2004年09月13日, ［査読有り］ - Indirect optical absorption of single crystalline beta-FeSi2
H. Udono; I. Kikuma; T. Okuno; Y. Masumoto; H. Tajima
Applied Physics Letters, 2004年09月, ［査読有り］ - Optical properties of β-FeSi2 single crystals grown from solutions
H. Udono; I. Kikuma; T. Okuno; Y. Masumoto; H. Tajima; S. Komuro
Thin Solid Films, 2004年08月29日, ［査読有り］ - Electrical properties of p-type β-FeSi2 single crystals grown from Ga and Zn solvents
H. Udono; I. Kikuma
Thin Solid Films, 2004年08月29日, ［査読有り］ - Thermal expansion of β-FeSi2 at low temperatures
Y. Terai; H. Ishibashi; Y. Maeda; H. Udono
Thin Solid Films, 2004年08月29日, ［査読有り］ - Structural and electrical properties of β-FeSi2 single crystals grown using Sb solvent
H. Kannou; Y. Saito; M. Kuramoto; T. Takeyama; T. Nakamura; T. Matsuyama; H. Udono; Y. Maeda; M. Tanaka; Z. Q. Liu; H. Tatsuoka; H. Kuwabara
Thin Solid Films, 2004年08月29日, ［査読有り］ - Raman spectra for β-FeSi2 bulk crystals
Y. Maeda; H. Udono; Y. Terai
Thin Solid Films, 2004年08月29日, ［査読有り］ - Reflection and absorption spectra of β-FeSi2 under pressure
Y. Mori; Y. Sumida; K. Takarabe; T. Suemasu; F. Hasegawa; H. Udono; I. Kikuma
Thin Solid Films, 2004年08月29日, ［査読有り］ - Thin Solid Films: Preface
Maeda, Y.Y.; Homewood, K.P.; Suemasu, T.; Sadoh, T.; Udono, H.; Kenji, Y.
Thin Solid Films, 2004年 - Control of Ga Doping Level in β-FeSi2 using Sn-Ga Solvent
H. Udono; K. Matsumura; I. J. Ohsugi; I. Kikuma
Mat. Sci. Semicon. Proc., 2003年11月, ［査読有り］ - Etch Pits Observation and Etching Properties of β-FeSi2
H. Udono; I. Kikuma
Mat. Sci. Semicon. Proc., 2003年11月, ［査読有り］ - Solution Growth and Optical Characterization of β-FeSi2 Bulk Crystals
H. Udono; I. Kikuma, We have succeeded in growing large-sized β-FeSi2 crystal (10 mm in diameter and 0.3-0.5 mm in thickness) by a temperature gradient solution growth method using a carbon plate. The grown crystals had large-sized grain boundaries with an area of about (1-2)× (1-4) mm2. Optical absorption measurements were performed at room temperature on single crystalline specimens prepared from the grown crystals. The absorption spectra suggest that β-FeSi2 has an indirect band-gap structure with a gap energy of approximately 0.75 eV., 公益社団法人 応用物理学会
Jpn. J. Appl. Phys., 2002年05月, ［査読有り］ - Crystal Growth of β-FeSi2 by Temperature Gradient Solution Growth Method using Zn Solvent
H. Udono; S. Takaku; I. Kikuma
J. Crystal Growth, 2002年04月, ［査読有り］ - Growth and Characterization of Br-doped ZnSe Single Crystals Grown by Vertical Sublimation Method
H. Kato; H. Udono and I. Kikuma
J. Crystal Growth, 2001年07月, ［査読有り］ - Observation of Etch Pits of β-FeSi2 Single Crystals
H. Udono; I. Kikuma
Jpn. J. Appl. Phys., 2001年06月, ［査読有り］ - Effect of solution thickness on ZnSe crystals grown fron Se/Te mixed solutions
H. Kato; H. Udono and I. Kikuma
J. Crystal Growth, 2000年11月, ［査読有り］ - β-FeSi2 Bulk Crystals Grown by the Temperature Gradient Solution Growth Method using Ga Solvent
H. Udono; I. Kikuma
Proc. Japan - UK joint workshop on KANKYO semiconductors, Tsukuba, 2000年08月, ［招待有り］ - Growth of β-FeSi2 on Si subsrtrate from liquid phase
H. Udono; M. Tada; I. Kikuma
Proc. Japan - UK joint workshop on KANKYO semiconductors, Tsukuba, 2000年08月 - The effect of (Al, I) impurities and heat treatment on lattice paramaeter of single-crystal
H. Udono; I. Kikuma and Y. Okada
J. Crystal Growth, 2000年06月, ［査読有り］ - Solution Growth of Single-Phase β-FeSi2 Bulk Crystals
H. Udono; I. Kikuma
Jpn. J. Appl. Phys., 2000年03月 - Dependence of lattice parameter of melt-grown ZnSe on Zn partial pressure during in-situ annealing
H. Udono; I. Kikuma and Y. Okada
J. Crystal Growth, 1999年02月 - Lattice paramaeter of ZnSe crystals grown from melt under Zn partial pressure
H. Udono; I. Kikuma and Y. Okada
J. Crystal Growth, 1998年09月, ［査読有り］ - Rapid diffusion of V elements during the conversion of GaAs to GaAsP on a GaP substrate
M. Kimura; Z. Qin; S. Dost; H. Udono; A. Tanaka and T. Sukegawa
Appl. Surf. Sci., 1997年04月, ［査読有り］ - Conversion mechanism of GaAs to GaAsP on GaP substrate
M. Kimura; Z. Qin; H. Udono; S. Dost; A. Tanaka and T. Sukegawa
Materials Sci. & Eng. B, 1997年02月, ［査読有り］ - A numerical analysis for the conversion phenomenon of GaAs to GaAsP on GaP substrate in an LPE system
M. Kimura; S. Dost; H. Udono; A. Tanaka; T. Sukegawa and Z. Qin
J. Crystal Growth, 1996年12月, ［査読有り］ - Suppression of twins in GaAs layers grown on a GaP(111)B substrate by liquid phase epitaxy
H. Udono; A. Motogaito; M. Kimura; A. Tanaka and T. Sukegawa
J. Crystal Growth, 1996年11月, ［査読有り］ - Conversion of GaAs Layer Grown on GaP Substrate to GaAsP in LPE System
H. Udono; H. Katsuno; A. Tanaka and T. Sukegawa
Jpn. J. Appl. Phys., 1993年12月, ［査読有り］ - Conversion from GaAs to GaAsP by annealing a GaAs layer on GaP in Ga-As-P solution
T. Sukegawa; H. Udono; M. Kimura; H. Katsuno; A. Tanaka
Jpn. J. Appl. Phys., 1993年08月, ［査読有り］
MISC
- 〔主要な業績〕Mg2Si基板開発と赤外線センサへの展開
鵜殿 治彦
レーザー研究, 2022年10月15日, ［招待有り］ - 〔主要な業績〕マグネシウムシリサイドを用いた環境調和型赤外フォトダイオード
鵜殿 治彦
応用物理, 2019年12月10日, ［招待有り］ - 〔主要な業績〕見直され始めたシリサイド系熱電材料
鵜殿治彦
日本熱電学会誌, 2012年03月, ［招待有り］ - 25aTJ-11 半導体Siクラスレートの探索(25aTJ 籠状物質(クラスレート化合物),領域7(分子性固体・有機導体))
今井 基晴; 佐藤 晃; 今井 庸ニ; 鵜殿 治彦; 田島 裕之
日本物理学会講演概要集, 2011年 - 資源・環境リスクに対応するシリサイド半導体の育成と物性評価
鵜殿治彦
第28回無機材料に関する最近の研究成果講演予稿集, 2011年01月, ［招待有り］ - Fluorescence EXAFS study of residual Ga in β-FeSi2 grown from Ga solvent
H Yamada; M Tabuchi; Y Takeda; H Udono
Journal of Physics: Conference Series, 2009年06月, ［査読有り］ - 〔主要な業績〕鉄シリサイドバルク成長と特性
鵜殿治彦
機能材料, 2005年09月05日, ［招待有り］ - シリサイド半導体の基礎物性
前田佳均,鵜殿治彦
日本学術振興会未踏・ナノデバイステクノロジー第151委員会，第65回研究会資料, 2003年05月 - β-FeSi2バルク結晶の光吸収
鵜殿治彦
第3回シリサイド系半導体研究会講演予稿, 2003年03月 - 23aTL-4 環境半導体 β-FeSi_2 の電子構造の圧力効果
財部 健一; 住田 行常; 井貝 智行; 寺西 良太; 森 嘉久; 鵜殿 治彦; 末益 崇; 長谷川 文夫
日本物理学会講演概要集, 2003年 - β-FeSi2の吸収特性
鵜殿治彦
「2002年シリサイド系半導体・夏の学校」研究会資料, JAERI-Conf 2002-014, 2002年08月 - 6aSB-8 β-FeSi_2の高圧物性(II)(層状・低次元物質・化合物半導体,領域4)
井貝 智行; 森 嘉久; 財部 健一; 住田 行常; 桜又 英憲; 鵜殿 治彦; 菊間 勲
日本物理学会講演概要集, 2002年 - 24pSA-5 β-FeSi_2の高圧物性(24pSA 化合物半導体,層状・低次元物質,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
財部 健一; 森 嘉久; 井貝 智行; 糸数 智啓; 鵜殿 治彦
日本物理学会講演概要集, 2002年
書籍等出版物
- 熱電変換材料 実用・活用を目指した設計と開発
共著
情報機構, 2014年12月19日 - シリサイド系半導体の科学と技術-資源･環境時代の新しい半導体と関連物質-
前田佳均編著, 共著
裳華房, 2014年09月25日 - サーマルマネージメント-余熱・排熱の制御と有効利用- 第4章第1節1.1 シリサイド系熱電材料の開発
鵜殿治彦, 単著
株）エヌ・ティー・エス, 2013年04月17日
9784864690607 - Thermoelectrics and its Energy Harvesting Chap.18 "Preparation and thermoelectric properties of Iron Disilicide "
Y. Isoda; H. Udono, 共著
CRC Press, 2012年
9781439874707
講演・口頭発表等
- エピタキシャルMg3Bi2薄膜の大気安定性および熱電性能評価
栗山 武琉; 鮎川 瞭仁; 根城 虹希; 鵜殿 治彦; 坂根 駿也
第72回応用物理学会春期学術講演会, 2025年03月17日 - エピタキシャルMg3Sb2/Mg3Bi2薄膜の電気特性と構造評価
根城 虹希; 鮎川 瞭仁; 切通 望; 栗山 武琉; 鵜殿 治彦; 坂根 駿也
第72回応用物理学会春期学術講演会, 2025年03月16日 - スパッタリング堆積法によるSi基板上へのInSb薄膜の成長と評価
小金澤 藍登; 久保田 啓聖; 鮎川 瞭仁; 坂根 駿也; 鵜殿 治彦
第72回応用物理学会春期学術講演会, 2025年03月16日 - 平底pBN坩堝からブリッジマン成長したMg2Si結晶の結晶成長方位
鉄幸多朗; 島野航輔; 木村侑生; 藤久善司; 坂根駿也; 鵜殿治彦
第72回応用物理学会春期学術講演会, 2025年03月16日 - Ag拡散源の膜厚によるMg2Si-PDの受光感度への影響
飯野有紀; 武井日出人; 尾嶋海人; 坂根駿也; 鵜殿治彦
第72回応用物理学会春期学術講演会, 2025年03月16日 - Mg3Sb2薄膜への不純物ドーピングに向けたイオン注入法の検討
坂根 駿也; 鮎川 瞭仁; 切通 望; 栗山 武琉; 根城 虹希; 鵜殿 治彦
第72回応用物理学会春期学術講演会, 2025年03月15日 - c-Al2O3基板上Mg3Bi2薄膜のエピタキシャル成長及び熱電特性評価
鮎川 瞭仁; 栗山 武流; 根城 虹希; 鵜殿 治彦; 坂根 駿也
第72回応用物理学会春期学術講演会, 2025年03月15日 - 短波赤外イメージセンサに向けたMg2Si-PDリニアアレイの試作(II)
古田良輔; 尾嶋海人; 武井日出人; 勝俣響; 坂根駿也; 鵜殿治彦
第72回応用物理学会春期学術講演会, 2025年03月14日 - Si(001)基板上に作製したエピタキシャルMg3Sb2薄膜の赤外受光特性
切通 望; 鮎川 瞭仁; 根城 虹希; 栗山 武琉; 山本 若葉; 安原 聡; 佐藤 康平; 鵜殿 治彦; 坂根 駿也
第72回応用物理学会春期学術講演会, 2025年03月14日 - Mg2Siのラマンスペクトルと第一原理計算によるフォノンダイナミクス解析
島野航輔; 太田岳宏; 高倉健一郎; 坂根駿也; 鵜殿治彦
第72回応用物理学会春期学術講演会, 2025年03月14日 - Fabrication of Mg2Si linear photodiode arrays for SWIR imaging
Haruhiko UDONO; Kaito Ojima; Naoki Imaizumi; Hideto Takei; Shunya Sakane
SPIE Photonics West 2025, 2025年01月28日 - エピタキシャル Mg3SbBi 薄膜における電気特性の温度依存性
根城 虹希; 栗山 武琉; 鮎川 瞭仁; 切通 望; 鵜殿 治彦; 坂根 駿也
令和6年度 電気学会東京支部茨城支所研究発表会, 2024年11月30日 - シリコン基板上の InSb のスパッタ成膜
小金澤藍登; 久保田啓聖; 鮎川瞭仁; 坂根駿也; 鵜殿治彦
令和6年度 電気学会東京支部茨城支所研究発表会, 2024年11月30日 - c-Al2O3 基板上エピタキシャル Mg3Bi2 薄膜の大気安定性の向上
栗山武琉; 鮎川瞭仁; 鵜殿治彦; 坂根駿也
令和6年度 電気学会東京支部茨城支所研究発表会, 2024年11月30日 - 平坦坩堝からブリッジマン成長した Mg2Si結晶の成長方位と結晶性評価
鉄幸多朗; 島野航輔; 藤久善司; 木村侑生; 鵜殿治彦; 坂根駿也
令和6年度 電気学会東京支部茨城支所研究発表会, 2024年11月30日 - 低温・バイアス下におけるマグネシウムシリサイドフォトダイオードの分光感度
古田良輔; 勝俣響; 坂根駿也; 鵜殿治彦
令和6年度 電気学会東京支部茨城支所研究発表会, 2024年11月30日 - 微細加工によるマグネシウムシリサイドフォトダイオードのAg 拡散条件と分光感度
勝俣響; 古田良輔; 尾嶋海人; 武井日出人; 坂根駿也; 鵜殿治彦
令和6年度 電気学会東京支部茨城支所研究発表会, 2024年11月30日 - Epitaxial Growth of High-quality Mg3Sb2-based Thin Films and Their Thermoelectric Properties
Akito Ayukawa; Nozomu Kiridoshi; Takeru Kuriyama; Wakaba Yamamoto; Akira Yasuhara; Haruhiko Udono; Shunya Sakane
The 21st International Conference on Flow Dynamics, 2024年11月18日 - Sc 添加したMg3(Sb,Bi)2結晶合成と熱電特性評価
小金澤直; 鮎川瞭仁; 坂根駿也; 鵜殿治彦
第 21 回日本熱電学会学術講演会, 2024年09月25日 - c-Al2O3 基板上へのエピタキシャル Mg3Bi2 薄膜の作製条件探索及び熱電特性評価
鮎川 瞭仁; 栗山 武流; 鵜殿 治彦; 坂根 駿也
第 21 回日本熱電学会学術講演会, 2024年09月24日 - 同時蒸着によるSi(001)基板上エピタキシャルMg3Sb2薄膜の作製
切通 望; 鮎川 瞭仁; 山本 若葉; 安原 聡; 佐藤 康平; 鵜殿 治彦; 坂根 駿也
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月18日 - c-Al2O3基板上エピタキシャルMg3Bi2薄膜の成長条件の探索
鮎川 瞭仁; 栗山 武流; 鵜殿 治彦; 坂根 駿也
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月18日 - 歪み緩和したエピタキシャルMg3Sb2薄膜の熱電特性
坂根 駿也; 鮎川 瞭仁; 切通 望; 山本 若葉; 安原 聡; 山下 雄一郎; 鵜殿 治彦
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月17日, ［招待有り］ - 不純物ドープしたMg2Si単結晶のラマン分光測定
島野航輔; 鵜殿治彦; 坂根駿也
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月17日 - Mg2Si単結晶成長に及ぼす坩堝形状の影響
朝倉康太; 劉鑫; 鵜殿治彦; 宇佐美徳隆
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月17日 - Mg2Si-PDアレイの窒化シリコン絶縁膜の暗電流への影響
武井日出人; 尾嶋海人; 坂根駿也; 鵜殿治彦
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月17日 - 短波赤外イメージセンサに向けたMg2Si-PDリニアアレイの試作
今泉尚己; 尾嶋海人; 武井日出人; 坂根駿也; 鵜殿治彦
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月17日 - n型基板上に熱拡散で作製したMg2Si-TPVセルの出力特性への基板キャリア濃度の影響
清水匠; 島野航輔; 坂根駿也; 鵜殿治彦
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月16日 - φ50mmサイズMg2Si結晶の単結晶化機構の調査
藤久善司; 木村侑生; 島野航輔; 坂根駿也; 劉鑫; 宇佐美徳隆; 鵜殿治彦
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月16日 - Epitaxial Growth of Zintl Phase Mg3Sb2 Thin Films on Si (001) Substrate by Simultaneous Deposition
Nozomu Kiridoshi; Akito Ayukawa; Haruhiko Udono; Shunya Sakane
ICMBE 2024, 2024年09月12日 - High-quality Mg3Sb2 Epitaxial Thin Films with Few Defects Grown Directly on c-plane Al2O3 Substrates
Akito Ayukawa; Nozomu Kiridoshi; Wakaba Yamamoto; Haruhiko Udono; Shunya Sakane
ICMBE 2024, 2024年09月12日 - Evaluation of Mg2Si-TPV cells fabricated on n-Mg2Si substrate by thermal diffusion of Ag acceptor
Takumi Shimizu; Daisuke Miyago; Syunya Sakane; Haruhiko Udono
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024), 2024年09月03日 - 熱電材料の基礎とシリサイド系半導体の応用例
鵜殿治彦
2024年度シリサイド夏の学校, 2024年07月21日, ［招待有り］ - 熱処理した c 面 Al2O3 基板上への高品質 Mg3Sb2 薄膜のエピタキシャル成長とその熱電特性
鮎川瞭仁; 切通望; 山本若葉; 坂根駿也; 鵜殿治彦
2024年度シリサイド夏の学校, 2024年07月20日 - 熱拡散法により作製された Mg2Si-TPV セルの性能評価
清水匠; 宮後大介; 坂根駿也; 鵜殿治彦
2024年度シリサイド夏の学校, 2024年07月20日 - ラマン分光による Mg2Si 基板上 Ag 薄膜の熱処理に反応の評価
武井日出人; 尾嶋海人; 久保田啓聖; 坂根駿也; 鵜殿治彦
2024年度シリサイド夏の学校, 2024年07月20日 - p 型 Mg2Si 単結晶の不純物と電気的特性
藤久善司; 木村侑生; 島野航輔; 坂根駿也; 鵜殿治彦
2024年度シリサイド夏の学校, 2024年07月20日 - 熱拡散でMg2Si 基板上に作製したpn接合ダイオードの暗電流への基板中のキャリア濃度の影響
島野航輔; 植松達哉; 坂根駿也; 鵜殿治彦
2024年度シリサイド夏の学校, 2024年07月20日 - Thermoelectric performance of epitaxially grown Mg3Sb2 thin films on sapphire substrates
Shunya Sakane; Akito Ayukawa; Nozomu Kiridoshi; Yuichiro Yamashita; Haruhiko Udono
The 40th International Conference on Thermoelectrics (ICT2024), 2024年07月04日 - 基板表面の原子配列制御による高品質エピタキシャル Mg3Sb2 薄膜の作製
鮎川瞭仁; 切通望; 山本若葉; 坂根駿也; 鵜殿治彦
ナノ学会第 22 回大会, 2024年05月23日 - Development of single crystalline Mg2Si substrate for Mg2Si SWIR sensor
Haruhiko UDONO
7 th International Conference on Nanoscience and Nanotechnology (ICONN-2023), 2023年03月29日, ［招待有り］
20230327, 20230329 - 4探針プローブ法によるMg2Si基板へのAl拡散深さの調査
尾嶋海人; 中村陸斗; 鵜殿治彦
第70回応用物理学会春期学術講演会, 2023年03月16日
20230315, 20230318
所属学協会
産業財産権
- 特許第5660528号, 特開2011-210845, 特願2010-075467, GaあるいはSnでドーピングされたバルク状マンガンシリサイド単結晶体あるいは多結晶体およびその製造方法
鵜殿 治彦 - 特開2008-303078, 特願2007-149102, シリコン薄膜または同位体濃縮シリコン薄膜の製造方法
山田 洋一, 山本 博之, 大場 弘則, 江坂 文孝, 山口 憲司, 社本 真一, 横山 淳, 北條 喜一, 笹瀬 雅人, 鵜殿 治彦 - 特許第3912959号, 特開2002-003300, 特願2000-182138, β-FeSi2結晶の製造方法および製造装置
鵜殿 治彦, 菊間 勲 - 特許第3891722号, 特開2000-247624, 特願平11-043955, 鉄シリサイド結晶の製造方法
鵜殿 治彦 - 特開2002-003300, 特願2000-182138, β-FeSi2結晶の製造方法および製造装置
鵜殿 治彦, 菊間 勲
