2024年10月, ADMETA Poster Award 2023, 応用物理学会
豊田絃人;山内 智

1989年, Materials Research Society Graduate Student Awards

Selective Cu growth on fine structures using a Cu-iodide precursor
Gento Toyoda; Takashi Fuse; Satoshi Yamauchi, 責任著者, Abstract

Selective Cu deposition by CVD using copper(I)-iodide (CuI) as the precursor is applied on 0.5 μm- and 1.0 μm-pitch Cu-lines/SiO₂ -spaces (L/S) at 370 °C. A confocal laser microscope suggests that the Cu is selectively deposited on the Cu line, not on the space. The average Cu height provided by the cross-sectional profile across the 1.0 μm-pitch L/S, which is linearly increased with total CuI supply, evaluates that the dissociation efficiency of CuI is about 23%. Surface scanning electron microscopy and energy dispersive X-ray spectroscopy clearly show the selective deposition of Cu, but surface roughness on the deposited Cu is increases with the Cu-height. The feature of surface roughness is discussed on the coalescent Cu line at the deposition temperature and the rate-limiting step in the CVD. The selective Cu deposition is also performed on 0.5 μm-pitch L/S, in which the deposition rate is similar but the surface is rougher than on the 1.0 μm-wide line., IOP Publishing
Japanese Journal of Applied Physics, 2024年06月03日, ［査読有り］

〔主要な業績〕Study of Cu-growth feature by selective low-pressure chemical vapor deposition using a CuI precursor
Gento Toyoda; Hikari Kikuchi; Satoshi Yamauchi; Tatsuya Joutsuka; Takashi Fuse; Yusuke Kubota, 責任著者, 日本応用物理学会
Japanese Journal of Applied Physics, 2023年04月19日, ［査読有り］

Synthesis, characterization, and formation of self-assembled monolayers of a phosphonic acid bearing a vinylene-bridged fluoroalkyl chain
Tomohiro Shirai; Satoshi Yamauchi; Hikari Kikuchi; Hiroki Fukumoto; Hiroto Tsukada; Tomohiro Agou, Elsevier
Applied Surface Science, 2022年03月01日, ［査読有り］

Facet Dependence of Photocatalytic Activity in Anatase TiO2: Combined Experimental and DFT Study
T. Joutsuka; H. Yoshinari; S. Yamauchi, ラスト(シニア)オーサー, The Chemical Society of Japan
Bulletin of the Chemical Society of Japan, 2021年01月, ［査読有り］

Low-pressure chemical vapor deposition of Cu on Ru using CuI as precursor
Taiji Nishikawa; Kensuke Horiuchi; Tatsuya Joutsuka; Satoshi Yamauchi, ラスト(シニア)オーサー, Elsevier
Journal of Crystal Growth, 2020年08月27日, ［査読有り］

Low-pressure chemical vapor deposition of Cu on Ru substrate using CuI: Ab initio calculations
Tatsuya Joutsuka; Satoshi Yamauchi, ラスト(シニア)オーサー, Elsevier
Chemical Physics Letters, 2020年01月20日, ［査読有り］

Selective Cu-deposition by LPCVD using CuI　　　　　　　　　　　　　　　
T. Nishikawa; S. Yamauchi
Extended Abstract of ADMETA plus 2016 Asian Session, 2016年10月20日, ［査読有り］, ［招待有り］

Enhanced Photo-Induced Property of LPCVD-TiO2 Layer on PCVD-TiOx Initial Layer
Satoshi Yamauchi; Keisuke Yamamoto; Sakura Hatakeyama
Journal of Materials Science and Chemical Engineering, 2015年06月18日, ［査読有り］

Drastic Resistivity Reduction of CVD-TiO2 Layers by Post-Wet-Treatment in HCl Solution
Satoshi Yamauchi; Kazuhiro Ishibashi; Sakura Hatakeyama
Journal of Crystallization Process and Technology, 2015年01月16日, ［査読有り］

Low Resistive TiO Deposition by LPCVD Using TTIP and NbF5 in Hydrogen-Ambient
Satoshi Yamauchi; Kazuhiro Ishibashi; Sakura Hatakeyama
Journal of Crystallization Process and Technology, 2015年01月12日, ［査読有り］

Low Pressure Chemical Vapor Deposition of TiO2 Layer in Hydrogen-Ambient
Satoshi Yamauchi; Kazuhiro Ishibashi; Sakura Hatakeyama
Journal of Crystallization Process and Technology, 2014年10月07日, ［査読有り］

Low Pressure Chemical Vapor Deposition of Nb and F Co-Doped TiO2 Layer
Satoshi Yamauchi; Shouta Saiki; Kazuhiro Ishibashi; Akie Nakagawa; Sakura Hatakeyama
Journal of Crystallization Process and Technology, 2014年04月03日, ［査読有り］

Nondestructive evaluation of crystallized-particle size in lactose-powder by terahertz time-domain spectroscopy
Satoshi Yamauchi; Sakura Hatakeyama; Yoh Imai; Masayoshi Tonouchi, Transmission-type terahertz time-domain spectroscopy is applied to evaluate crystallized lactose particle of size below 30 mu m, which is far too small compared to the wavelength of incident terahertz (THz)-wave. The THz-absorption spectrum of lactose is successfully deconvoluted by Lorentzian to two spectra with peaks at 17.1 cm(-1) (0.53 THz) and 45.6 cm(-1) (1.37 THz) derived from alpha-lactose monohydrate, and a spectrum at 39.7 cm(-1) (1.19 THz) from anhydrous beta-lactose after removal of the broad-band spectrum by polynomial cubic function. Lactose is mainly crystallized into alpha-lactose monohydrate from the supersaturated solution at room temperature with a small amount of anhydrous beta-lactose below 4%. The absorption feature is dependent on the crystallized particle size and the integrated intensity ratio of the two absorptions due to alpha-lactose monohydrate is correlated in linear for the size. (C) The Authors. Published by SPIE under a Creative Commons Attribution 3.0 Unported License. Distribution or reproduction of this work in whole or in part requires full attribution of the original publication, including its DOI., SPIE-SOC PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS
OPTICAL ENGINEERING, 2014年03月, ［査読有り］

Plasma-assisted Chemical Vapor Deposition of Titanium Oxide layer at Room-Temperature
S. Yamauchi; H. Suzuki; R. Akutsu
Journal of Crystallization Process and Technology, 2014年01月08日, ［査読有り］

Remote-plasma-assisted deposition of pentacene layer using atomic-hydrogen
S. Yamauchi; T. Minakuchi; M. Onodera
Journal of Crystallization Process and Technology, 2014年01月02日, ［査読有り］

Terahertz time-domain spectroscopy to identify and evaluate anomer in lactose
S. Yamauchi; S. Hatakeyama; Y. Imai; M. Tonouchi
American Journal of Analytical Chemistry, 2013年12月16日, ［査読有り］

ZnO Heteroepitaxy on Sapphire Using a Novel Buffer Layer of Titanium Oxide: Optoelectronic Behavior
Satoshi Yamauchi; Yoh Imai
Crystal Structure Theory and Applications, 2013年09月25日, ［査読有り］

Evaluation of interfacial water on super-hydrophilic surface by THz-TDS
S. Yamauchi; Y. Imai; M. Tonouchi, Transmission-type THz-TDS was applied to characterize water on super-hydrophilic surface of anatase-TiO2 layer fabricated by plasma-assisted deposition. Absorption coefficient of water with the thickness of 300 mu m on the layer was in good agreement to that of free water before the surface was converted to the super-hydrophilicity but decreased on the super-hydrophilic surface after UV-irradiation. The complex dielectric constant was fitted by double Debye-model and could be explained by a model of double water layers consisting of free water and interfacial water near the super-hydrophilic surface after lJV-irradiation. The slow relaxation time of 37 ps in the interfacial layer with the thickness of 45 mu m was significantly large comparing to the value of 7.7 ps in free water., IEEE
The 38th Inte'l Conf. on Infrared, Millimeter, and Terahertz waves, proceeding, 2013年09月02日, ［査読有り］

Measurements of Nonlinear Refractive Index of Optical Fiber by Using Multiple Interference in OFRR　　　　　　　　　　　　　　　
Yoh Imai; Hirohisa Yokota; Satoshi Yamauchi
Photonics and Optoelectronics, 2013年07月, ［査読有り］

ZnO Heteroepitaxy on Sapphire Using a Novel Buffer Layer of Titanium Oxide: Crystallographic Behavior　　　　　　　　　　　　　　　
Satoshi Yamauchi; Yoh Imai
Crystal Structure Theory and Applications, 2013年06月

Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition of TiO2 Thin Films for Highly Hydrophilic Performance　　　　　　　　　　　　　　　
Satoshi Yamauchi; Yoh Imai
Crystal Structure Theory and Applications, 2013年03月, ［査読有り］

Terahertz Waveguide Using Triangle Bundle Structure of Polymer Tubes
Yoh Imai; Satoshi Yamauchi; Hirohisa Yokota; Masayoshi Tonouchi, A new terahertz fiber using polymer tube bundle with triangular structure is proposed and analyzed. An optimum tube parameters in bundle structure for low loss waveguide is clarified., IEEE
2013 38TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INFRARED, MILLIMETER, AND TERAHERTZ WAVES (IRMMW-THZ), 2013年, ［査読有り］

Determination of stereoisomer in sugars by THz-TDS
Satoshi Yamauchi; Yoh Imai; Hirohisa Yokota; Masayoshi Tonouchi, Transmission-type terahertz time-domain spectroscopy (THz-TDS) using dipole-antennas on LT-GaAs layers as THz-emitter and detector with fs-fiber laser as the excitation light source was applied to determine the stereoisomer of sugars in carefully controlled environment with low humidity below 5% at 20 degrees C. Commercially available alpha-D-lactose including about 4% anomer and beta-D-lactose including below 30% anomer were used as stereoisomer samples. The absorption spectra of compounds by the alpha-D-and beta-D-lactose powders with various ratios were successively deconvoluted to four spectra by Lorentzian and dependent on the composition ratio. Integrated absorptions due to alpha-D-lactose and beta-D-lactose determined the decreasing rate (r(alpha)) and the increasing rate (r(beta)) for the composition ratio of the beta-D-lactose powder, because the intensities were linearly dependent on the composition ratio. The net-composition ratio of alpha-lactose and beta-lactose in the compounds was precisely evaluated by the ratio of the integrated intensities and the value of r(beta) / r(alpha), for example, the anomer-contents in commercially available alpha-D-lactose and beta-D-lactose powders were disclosed as 3.9% and 29.1%, respectively. The demonstrated results indicate that THz-TDS is so useful not only for precise qualitative-analysis but also for precise quantitative-analysis of stereoisomer in sugars with partially different molecular structure such as lactose., SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING
The 22nd General Congress of the International Commission for Optics (ICO-22), Proc. of SPIE, 2011年08月, ［査読有り］

Estimation of Fiber Parameters by Using OFRR Nonlinear Dynamics
Yoh Imai; Satoshi Yamauchi; Hirohisa Yokota, In this paper, a new method for measuring the nonlinear refractive index by using the nonlinear dynamics generated in optical fiber ring resonator (OFRR) is proposed. In OFRRs, input light and circulated light components are added in succession, and then, result in forming an interference output. The OFRR output exhibits nonlinear dynamics such as a chaotic state due to the optical Kerr effect, as the input light power increases. In the bifurcation diagram, the output power indicates peaks in the input power range lower than the bifurcation point at which the output changes from stable to periodic state. It is found that the input power at the peak shifts, dependent on the nonlinear refractive index. The nonlinear refractive index can be estimated by applying the measured input power giving the peak point to the numerical relationship between the input power and the nonlinear refractive index. In experiments the nonlinear refractive index of the two pure silica core fibers with different cutoff wavelength was estimated as n(2)=0.97x10(-22)[m(2)/V-2] and n(2)=1.06x10(-22)[m(2)/V-2] which are in good agreement with those reported previously., SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING
22ND CONGRESS OF THE INTERNATIONAL COMMISSION FOR OPTICS: LIGHT FOR THE DEVELOPMENT OF THE WORLD, 2011年, ［査読有り］

Dielectric behavior in THz of Water influenced by alkaline- and alkali-earth-halides
S. Yamauchi; K. Takayama; Y. Imai; K. Takeya; M. Tonouchi, A transmission type THz-TDS was applied to study dielectric behavior of water including NaCl and MgCl2. Imaginary part of the complex dielectric constant below 1THz and the dielectric slow relaxation time were evaluated and disclosed that they are dependent on the type of salt and the concentration., IEEE
The 35th Inte'l Conf. on Infrared, Millimeter, and Terahertz waves, proceeding, 2010年09月05日, ［査読有り］

THz-TDS study for water analysis on aqueous solution of alkali and alkaline-earth halides　　　　　　　　　　　　　　　
T. Suzuki; K. Takayama; S. Yamauchi; Y. Imai; M. Tonouchi
2nd International Workshop on Terahertz Technology,Extended Abstracts, 2009年11月30日, ［査読有り］

Coherent effect on decryption characteristics in message modulation type chaos secure communication systems using fiber-optic ring resonators
Y. Imai; S. Yamauchi; H. Yokota; T. Suzuki; K. Tsuji, We numerically investigated the dependence of the decryption characteristics in a message modulation type chaos secure communication system using optical fiber ring resonators (OFRRs) on the coherence condition of carrier light. Since the output dynamics of OFRRs were formed on the basis of interference phenomenon among the circulated components in OFRRs, the coherence condition of input light affected inherently the OFRR output dynamics, resulting in the decryption characteristics. It was found that the decryption characteristics degraded as coherence length increased, i.e., as the spectral width of the input light decreased. The decryption characteristics also grew worse as the parameter differences between the transmitter and the receiver became larger. (C) 2009 Elsevier B.V. All rights reserved., ELSEVIER SCIENCE BV
Optics Communications, 2009年07月28日, ［査読有り］

Proposal for nonlinear refractive index measurement by using spectral ratio in modulated OFRR dynamics
M. Mumuro; Y. Imai; S. Yamauchi; K. Suzuki, A novel method for measuring the nonlinear refractive index of an optical fiber using a spectral ratio between the modulation frequency and a harmonic component in a modulated optical fiber ring resonator (OFRR) is proposed. The spectral ratio between the modulation frequency and the 2nd-harmonics generated by phase-modulation through the OFRR is increased with increasing the input light power and has peaks above 5 W input power, however, the peaks was shifted to the lower input power below 1 W by averaging taken into account of the phase distribution. A experimental setup consisted of an OFRR system and an Ar-laser as a pump light source was used to determine the nonlinear refractive index of an optical fiber. In the experimental results, the peaks of the spectral ratio as a function of the input power was found out at 0.8 W and 0.45 W of the input power corresponding to the input source line at 488.0 nm and 514.5 nm, respectively. The profile was similar to that obtained by the simulation and the nonlinear refractive index of a optical fiber was determined as 1.0 X 10(-22) m(2)/V-2 by a relationship between the input power giving the peak and the nonlinear refractive index. (C) 2007 Elsevier B.V. All rights reserved., ELSEVIER SCIENCE BV
Optics Communications, 2008年02月, ［査読有り］

Plasma-assisted epitaxial growth of nitrogen-doped and high-quality ZnO thin films
S. Yamauchi, プラズマ・アシステド・エピタキシー法によりＺｎＯ薄膜を形成する際に酸素と窒素混合ガスプラズマを用いることで浅いアクセプタの導入が可能になること、および、1nm程度のTi2O3バッファー層を用いることでZnO薄膜の結晶性を飛躍的に向上できることを示した。, SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING
SPIE Photonics West 2008, Proceedings of SPIE, 2008年01月, ［査読有り］, ［招待有り］

Surface treatment of Si using hydrogen-plasma to improve optoelectronic property of ZnO on (111)Si
Satoshi Yamauchi; Hirokatsu Kawasaki; Takashi Hariu, Hydrogen-terminated (111)Si was treated by Zn-contained hydrogen plasma at low temperatures ranging from 200-500 degrees C prior to ZnO growth at 400 degrees C by plasma-assisted epitaxy using oxygen gas plasma excited by rf-power at 13.56 MHz. Spot pattern corresponding to c-ZnO surface was observed by reflection high-energy electron diffraction from the layer grown on the Si treated by Zn-contained hydrogen gas plasma at 500 degrees C, in contrast to the ring-pattern from the layers on the Si non-treated or treated at lower temperatures. Optoelectronic property was significantly improved by the surface treatment at 500 degrees C, because the photoluminescence spectra of the ZnO layers grown on the Si treated at 500 degrees C showed strong and sharp bandedge emissions due to bound exciton accompanied with free-exciton emission without significant deep-level emissions at 10 K, while the weak bandedge emissions and green emission due to deep level can be observed from the layers on the substrates non-treated or treated below 400 degrees C in the plasma., JAPAN SOC APPLIED PHYSICS
Jpn.J.Appl.Phys., 2005年11月09日, ［査読有り］

A novel buffer layer using titanium-oxide for ZnO epitaxial growth on sapphire
Toru Miyamura; Satoshi Yamauchi
Ext.Abstract of the 2005 int'l Conf. on Solid State Devices and Materials, 2005年09月13日

Photoluminescence studies of undoped and nitrogen-doped ZnO layers grown by plasma-assisted epitaxy
S. Yamauchi; Y. Goto; T. Hariu, 窒素ドーピングでは従来不可能とされてきたＺｎＯ中での浅いアクセプターレベルの形成をプラズマ・アシステド・エピタキシー法により初めて可能にした。, ELSEVIER SCIENCE BV
J. Crystal Growth, 2004年01月

Plasma-assisted epitaxial growth of ZnO layer on sapphire by plasma-assisted epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
S. Yamauchi; T. Hariu
MRS Symp. Proc., 2001年02月

Plasma-assisted epitaxial growth of ZnO layer on sapphire
S. Yamauchi; T. Ashiga; A. Nagayama; T. Hariu, サファイア上へのＺｎＯ薄膜の成長における成長初期段階での制御により、高い成長速度でのエピタキシャル成長がが可能であることを示した。, ELSEVIER SCIENCE BV
J. Crystal Growth, 2000年06月

Suppresion of gate leakage current in n-AlGaAs/GaAs power HEMTs
A. Nagayama; S. Yamauchi; T. Hariu, 最適な濃度のＮＨ４ＯＨ水溶液によるＧａＡｓ表面処理と窒化シリコン不活性化膜堆積時のガス成分の最適化がゲートリーク電流の低減に効果的であることを見出し、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴデバイス作製プロセス適用した、著しい特性改善を可能にした。, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
IEEE Trans. on Electron Devices, 2000年03月

Plasma-assisted epitaxial growth of ZnO layer on sapphire　　　　　　　　　　　　　　　
S. Yamauchi; T. Ashiga; A. Nagayama; T. Hariu, サファイア上へのＺｎＯ薄膜の成長において成長初期段階での核発生確率が小さいことに着目し、成長初期段階での制御を行うことによりＺｎＯ薄膜の結晶性の改善が可能であることを示した。
9th Int'l Conf. on II-VI Compounds, 1999年11月

Low temperature epitaxial growth of ZnO layer by plasma-assisted epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
S. Yamauchi; H. Handa; A. Nagayama; T. Hairu, 酸素プラズマを用いてＺｎＯ薄膜を低温でエピタキシャル成長させることにより、膜中の酸素欠損を著しく減少させることが可能になり、良好な発光特性が得られることを示した。
Thin Solid Films, 1999年06月

Total low temperature plasma process for epitaxial growth of compound semiconductors on Si: InSb/Si　　　　　　　　　　　　　　　
S. Yamauchi; T. Hariu; H. Ohba; K. Sawamura, Ｓｉ上へのＩｎＳｂ薄膜のヘテロエピタキシャル成長を実現するためのＳｉ表面の清浄化及び不活性化プロセスを構築し、且つ、大きな格子不整合を緩和できる初期成長層を提案し、それらを用いることによりＩｎＳｂのヘテロエピタキシャル成長を可能にした。
Thin Solid Films, 1998年05月

Low-temperature deposition of (Ba,Sr)TiO3 thin films for ULSI DRAM applications by the initial rf-sputtering step control
S. Takehiro; S. Yamauchi; M. Yoshimaru, 成長初期段階での制御を行なうことにより、ＵＬＳＩ対応の電気的特性を有するＢＳＴ薄膜を低温で形成できることを示した。, ELECTROCHEMICAL SOCIETY INC
Proc. 6th Int'l Symp. on ULSI Science and Technology, 1997年05月

The simplest stacked BST capacitor for the future DRAMs using a novel low temperature growth enhanced crystallization
S. Takehiro; S. Yamauchi; M. Yoshimaru; H. Onoda, 将来のＤＲＡＭに適用可能で、且つ最も単純なスタック型キャパシタの作製が結晶化を促進させたＢＳＴ薄膜の形成方法で可能になることを示した。, JAPAN SOCIETY APPLIED PHYSICS
Symp. VLSI Technology Digest, 1997年05月

High reliable lead-zirconate- titanate growth using reactive sputtering and rapid thermal annealing
S. Yamauchi; M. Yoshimaru, Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３を下地結晶の原子配列に沿って成長させるためには、膜全体の組成、深さ方向の均一性、スパッタ法による成長時のプラズマの状態が重要であることを示し、これらを制御することにより膜疲労特性が飛躍的に改善されることを示した。, TAYLOR & FRANCIS LTD
Integrated Ferroelectrics, 1997年02月

High reliable PZT growth using conventional reactive sputtering and rapid thermal annealing　　　　　　　　　　　　　　　
S. Yamauchi; M. Yoshimaru, 反応性スパッタ法によるＰＺＴの低温成長と急速熱処理により形成した強誘電体ＰＺＴ薄膜が優れた膜特性を有することを示した。
Abstract 8th ISIF, 1996年03月

Growth of [111]-oriented lead zirconate titanate thin film with smooth surface to improve electrical properties
S. Yamauchi; M. Yoshimaru, Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３膜をＰｔ層の原子配列に沿って成長させることにより強誘電体特性が改善できることを示し、また薄膜化に伴う残留分極量の減少が薄膜の面間距離に依存することを示唆した。, JAPAN SOC APPLIED PHYSICS
Jpn. J. Appl. Phys., 1996年02月

Quasi-epitaxial growth of PZT thin film tofabricate capacitor suitable for 256Mb DRAM and beyond
S. Yamauchi; M. Yoshimaru, 表面処理されたＰｔ上に反応性スパッタ法により低温で膜組成と分布を精確に制御したＰＺＴ層を形成し急速熱処理により再結晶化させることによりＰｔの原子配列に沿った原子配列のＰＺＴ層を形成でき、２５６Ｍｂ以上の集積度のＤＲＡＭに適用可能であることを示した。
Ext. Abstract SSDM, 1995年08月

Plasma-cracked supply of group V and group VI elements for low temperature epitaxy
T. Hariu; S. Yamauchi; S. F. Fang; T. Ohshima; T. Hamada, Ⅲ－Ⅴ族及びⅡ－Ⅵ族化合物半導体のプラズマ・アシステド・エピタキシャル成長においてⅤ族及びⅥ族原料が原子状にクラッキングされることが低温成長に大きく寄与していることを明らかにした。, ELSEVIER SCIENCE BV
J. Cryst. Growth, 1994年03月

Crystallographic and electrical studies of sputtered lead-zirconate-titanate (PZT) thin films treated by rapid thermal annealing　　　　　　　　　　　　　　　
S. Yamauchi; M. Yoshimaru; M. Ino, 反応性スパッタ法によるパイロクロア相ＰＺＴの低温成長及び急速熱処理によるペロブスカイト相への再結晶化が強誘電体ＰＺＴ薄膜の形成に非常に有効であることを示した。
Proc. Int'l Conf. AMDP, 1994年02月

Electrical and crystallographic properties of sputtered- Pb(Zr,Ti)O3 films treated by rapid thermal annealing
S. Yamauchi; H. Tamura; M. Yoshimaru; M. Ino, 強誘電体Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３膜を複合金属ターゲットを用いた反応性スパッタ法と急速熱処理により形成し、その特性が従来の方法で形成したものよりも優れていることを示した。, JAPAN J APPLIED PHYSICS
Jpn. J. Appl. Phys., 1993年09月

Plasma-process for substrate surface-cleaning and successive epitaxial growth of semiconductors　　　　　　　　　　　　　　　
T. Hariu; S. Yamauchi; T. Ohshima; H. Takei; T. Hamada, プラズマ・アシステド・エピタキシー法がＳｉ表面の清浄化及びＳｉ上への化合物半導体の低温エピタキシャル成長に有効であることを示した。
Proc. APCPST. CJSPC and CCPST, 1992年02月

Effect of enhanced reactivity in plasma-assisted epitaxial growth of ZnSe　　　　　　　　　　　　　　　
S. Yamauchi; T. Hariu; S. Ono, ＺｎＳｅの成長の際に用いる水素及び水素・窒素混合ガスプラズマ中で生成される励起種をプラズマ発光分光分析により検出し、プラズマ励起窒素が浅いアクセプタとして導入されることを示した。
J. Cryst. Growth, 1991年08月

Interface characterization of ZnSe/GaAs heterojunctions
T. Hariu; S. Yamauchi; H. Tanaka; S. Ono, 従来困難であったＧａＡｓの表面特性の解析を可能にする新しい評価法を提案し、更にＳｅを含む水素プラズマ処理によりＧａＡｓ表面特性の制御が可能となることを示した。
Appl. Surf. Sci., 1991年07月

Plasma-assisted epitaxial growth of ZnSe films in hydrogen plasma
S. Yamauchi; T. Hariu, 水素ガスプラズマをベースとしたプラズマ・アシステド・エピタキシー法により高純度ＺｎＳｅ、低抵抗ｎ型ＺｎＳｅ薄膜の成長が可能であることを示し、且つ水素・窒素混合ガスプラズマを用いることにより浅いアクセプターの導入が可能であることを示した。, MATERIALS RESEARCH SOC
MRS Symp. Proc., 1990年12月

PLASMA-ASSISTED SURFACE-TREATMENT OF GAAS FOR IMPROVED ZNSE/GAAS HETEROSTRUCTURES
S YAMAUCHI; T KITAGAKI; T HARIU, IOP PUBLISHING LTD
INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES, 1990年, ［査読有り］

IMPORTANCE OF V III SUPPLY RATIO IN LOW-TEMPERATURE EPITAXIAL-GROWTH OF INSB BY PLASMA-ASSISTED EPITAXY
T OHSHIMA; S YAMAUCHI; T HARIU, IOP PUBLISHING LTD
INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES, 1990年, ［査読有り］

Optical emission spectroscopy in plasma-assisted epitaxial growth of compound semiconductors　　　　　　　　　　　　　　　
T. Hariu; S. F. Fang; S. Yamauchi; T. Ohshima, プラズマ・アシステド・エピタキシー法により化合物半導体を低温エピタキシャル成長させる際にプラズマ中で生成される励起種を検出し、有効な励起種を示した。
Proc. 9th Int'l Symp. on Plasma Chemistry, 1989年09月

Plasma-assisted surface treat- ment of GaAs for improved ZnSe/GaAs heterostructures
S. Yamauchi; T. Kitagaki; T. Hariu, ＧａＡｓの表面特性が水素・窒素混合ガスプラズマ及びＳｅを含む水素ガスプラズマにより改善できることを示した。, IOP PUBLISHING LTD
Proc. 16th Symp. on GaAs & Related Compounds, 1989年09月

Importance of V/III supply ratio in low temperature epitaxial growth of InSb by plasma -assisted epitaxy
T. Ohshima; S. Yamauchi; T. Hariu, ＩｎＳｂの低温エピタキシャル成長におけるⅤ／Ⅲ供給比の重要性を示した。, IOP PUBLISHING LTD
Proc. 16th Symp. on GaAs & Related Compounds, 1989年09月

ZnSe/GaAs heterointerface characterization by a new DLTS analysis　　　　　　　　　　　　　　　
T. Hariu; S. Yamauchi; T. Kitagaki; Y. Numagami, ＧａＡｓの表面準位を測定する新しいＤＬＴＳ法の提案とその方法により評価したＺｎＳｅ／ＧａＡｓ界面の特性を示した。
Defect Control in Semiconductor, 1989年09月, ［査読有り］

Plasma-assisted atomic layer epitaxial growth of ZnSe　　　　　　　　　　　　　　　
T. Kitagaki; S. Yamauchi; T. Hariu, プラズマプロセスによりＺｎＳｅの低温原子層エピタキシャル成長が可能であることを示した。
Proc. JSAP-MRS Int'l Conf. on Electronic Materials, 1989年08月

LOW-TEMPERATURE EPITAXIAL-GROWTH OF INSB ON GAAS
T HARIU; T OHSHIMA; S YAMAUCHI, InSb epitaxial layers were successfully grown on (100) semi-insulating GaAs at a temperature as low as 270-degrees-C by plasma-assisted epitaxy (PAE) in hydrogen plasma. Maximum mobility and minimum carrier density are obtained at a different supply ratio Sb/In for each substrate temperature and each applied rf power. The maximum mobilities obtained at different growth temperatures, however, are comparable to each other (2 - 3 x 10(4)cm2/Vs at room temperature) as long as the supply ratio is optimized and the thickness is above 2-mu-m., IOP PUBLISHING LTD
INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES <D>, 1989年, ［査読有り］

The effect of hydrogen plasma on the low temperature epitaxial growth of InSb
T. Ohshima; S. Yamauchi; T. Hariu, ＩｎＳｂの低温エピタキシャル成長に水素プラズマが有効であることを実験的に検証した。, JAPAN J APPLIED PHYSICS
Jpn. J. Appl. Phys., 1989年01月

Low temperature epitaxial growth of InSb on GaAs
T. Hariu; T. Ohshima; S. Yamauchi, ＩｎＳｂのＧａＡｓ上へのヘテロエピタキシャル成長におけるプラズマの効果を示した。, INST PHYSICS PUBL DIV
Proc. 15th Symp. GaAs & Related Compounds, 1988年09月

Plasma-assisted epitaxial growth of compound semiconductors　　　　　　　　　　　　　　　
T. Hariu; Q. Z. Gao; S. F. Fang; S. Yamauchi; T. Kitagaki, プラズマ・アシステド・エピタキシー法がⅢ－Ⅴ族化合物半導体の低温エピタキシャル成長に有効であることを示した。
Proc. 1st China-Japan Symp. on Plasma Chemistry, 1988年07月

Doping properties of ZnSe layers grown by plasma-assisted epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
S. Yamauchi; K. Matsushita; T. Hariu, プラズマ・アシステド・エピタキシー法によるＺｎＳｅヘテロエピタキシャル成長におけるドーピング特性を明らかにした。
Proc. 8th Int'l Symp. on Plasma Chemistry, 1987年09月

Photoelectric properties of ZnSe films grown by plasma-assisted epitaxy in mixed plasma gas H2+N2　　　　　　　　　　　　　　　
S. Yamauchi; T. Hariu, 水素・窒素混合ガスプラズマを用いて,ＺｎＳｅのエピタキシャル成長を行い、窒素をプラズマ励起することにより浅いアクセプタ準位を導入できることを初めて示し、ｐ型ＺｎＳｅ形成の可能性を示した。
Appl. Surf. Sci., 1987年08月

Low temperature epitaxial growth of highly-conductive ZnSe layers in mixed plasma of hydrogen and hydrogen chloride
S. Yamauchi; H. Hariu; K. Matsushita, 水素・窒素混合ガスプラズマを用いて,青色ＬＥＤ、ＬＤに必要な低抵抗ｎ型ＺｎＳｅ成長のためのドナー不純物として塩素が非常に有効であることを示し、従来の方法に比べ抵抗率を飛躍的に低減することに成功した。, JAPAN J APPLIED PHYSICS
Jpn. J. Appl. Phys, 1987年06月

Nondestructive evaluation of Lactose including anomer and crystallized particles
S. Yamauchi; S. Hatakeyama; Y .Imai; M. Tonouchi
Proc. International Workshop on Optical Terahertz Science and Technology 2013, 2013年04月04日, ［査読有り］

TERAHERTZ-TIME DOMAIN SPECTROSCOPY FOR LACTOSE ANALYSIS ON THE STEREOISOMER AND THE PARTICLE SIZE
S. Hatakeyama; S. Yamauchi; Y .Imai; M. Tonouchi
Proc. 3rd International Symposium on Terahertz Nanoscience, 2012年12月12日, ［査読有り］

ANALYSIS OF MULTILAYERED THz WAVEGUIDE BY USING POLYMER TUBES WITH DIFFERENT INDICES
Y .Imai; T. Kuroda; S. Yamauchi; H. Yokota; M. Tonouchi
Proc. 3rd International Symposium on Terahertz Nanoscience, 2012年12月12日, ［査読有り］

Qualitative and quantitative analysisi of lactose-anomer by THz-TDS
S. Yamauchi; Y .Imai; M. Tonouchi
Proc. International Symposium on Terahertz Nanoscience, 2011年09月, ［査読有り］

Measurement of nonlinear refractive index by using input-output characteristics in OFRR nonlinear dynamics
Y. Imai; S. Yamauchi; H. Yokota; and S. Wei
Proc. 21th International Conference on Optical Fiber Sensors, 2011年08月, ［査読有り］

Measurement of nonlinear refractive index by using input-output characteristics in OFRR nonlinear dynamics
Y. Imai; S. Yamauchi; H. Yokota; and S. Wei
Proc. 21th International Conference on Optical Fiber Sensors, 2011年06月, ［査読有り］

Measurement of Water Absorption Coefficient using Terahertz Time-Domain Spectroscopy
T. Suzuki; K. Takayama; S. Yamauchi; Y. Imai
The 34th Inte'l Conf. on Infrared, Millimeter, and Terahertz waves, 2009年09月22日, ［査読有り］

Effect of water cluster on absorption property in terahertz time-domain spectroscopy
S. Yamauchi; Y. Aoyagi; A. Okamoto; Y. Imai; M. Tonouchi
Join 32nd int’l Conf. on Infrared and Millimeter waves and 15th int’l Conf., 2007年09月, ［査読有り］

プラズマCVD法により形成した親水性TiO2薄膜の膜厚特性
熊谷幸樹、宮村 徹、山内 智
第１４回電気学会東京支部茨城支所研究発表会 講演予稿集, 2006年12月02日

プラズマCVD法による酸化チタン薄膜の形成と親水性特性
山内 智
第４４回CVD研究会 講演予稿集, 2006年11月30日, ［招待有り］

Proposal for Nonlinear Refractive Index Measurement by Using Spectral Ratio in Modulated OFRR Dynamics
Y. Imai; M. Mimuro; S. Yamauchi; K. Suzuki
18th International Conference on Optical Fiber Sensors, 2006年10月23日, ［査読有り］

Production of zinc-oxide mixture plasma for ZnO film synthesis based on mass-selective momentum control
Naoyuki Sato; Satoshi Yamauchi; Takashi Ikehata; Yasushi Nakano; Jin Oonuki
Plasma Science Symposium 2005/The 22nd Symposium on Plasma Processing, 2005年01月26日

Characteristics of the magnetized rf oxygen plasma for ZnO film synthesis based on mass-selective momentum control
Yasushi Nakano; Naoyuki Sato; Takashi Ikehata; Satoshi Yamauchi; Jin Oonuki
Plasma Science Symposium 2005/The 22nd Symposium on Plasma Processing, 2005年01月26日

Purity of source materials and elimination of residual impurities in ZnSe epitaxial growth
F. Ito; T. Hamada; S. Yamauchi; T. Hariu
Record of Alloy Semiconductor Phys. and Elect. Symp., 1993年10月

Surface state characterization by a new DLTS analysis
H. Ohba; T. Hamada; S. Yamauchi; T. Hariu
Record of Alloy Semiconductor Phys. and Elect. Symp., 1992年10月

Optical emission spectro- scopy in plasma-assisted epitaxial growth of ZnSe
S. Yamauchi; T. Hariu; S. Ono
Proc. Jpn. Symp. Plasma Chemistry, 1991年07月

Composition control of InxGa1-xSb layers grown by plasma-assisted epitaxy
T. Ohshima; S. Yamauchi; T.Hariu
Record of Alloy Semiconductor Phys. and Elect. Symp., 1990年10月

Heteroepitaxial growth of compound and alloy semiconductors by plasma-assisted epitaxy
T. Hariu; Q. Z. Gao; S. F. Fang; S. Yamauchi; T. Ohshima
Record of Alloy Semiconductor Phys. and Elect. Symp., 1989年10月

Alloy semiconductors for a few micrometer-wavelength optoelectronic devices by plasma-assisted epitaxy
T. Hariu; Q. Z. Gao; S. F. Fang; S. Yamauchi; T. Ohshima
Record of Alloy Semiconductor Phys. and Elect. Symp., 1988年10月

Characterization of H2+N2 mixed gas plasma for N-doped ZnSe epitaxial growth
S. Yamauchi; T. Hariu
Proc. Jpn. Symp. Plasma Chemistry, 1988年07月

プラズマCVDにおける成膜条件の最適化に向けた反応機構の理解とプロセス制御・成膜事例　　　　　　　　　　　　　　　
分担執筆
サイエンス＆テクノロジー, 2018年09月27日
9784864281706

ディスプレイ・光学部材における薄膜製造技術　　　　　　　　　　　　　　　
共著
情報機構, 2007年08月30日
9784901677837

Study of chemical vapor deposition of Cu using CuI on Ta
Yu Miyamoto; Satoshi Yamauchi
Advanced Metallization Conference 2024 33rd Asian Session, 2024年10月03日
20241002, 20241004

ヨウ化銅（I）を原料とするCVD法によるTa上へのCu堆積
宮本 裕; 山内 智
第72回 応用物理学会 春季学術講演会, 2024年03月14日
20240314, 20240317

Selective chemical vapor deposition of Cu using CuI on fine-structure
Gento Toyoda; Satoshi Yamauchi
Advanced Metallization Conference 2023 32nd Asian Session, 2023年10月12日, 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会
20231012, 20231013

Selective chemical vapor deposition of Cu using CuI-precursor for fine structured Metallization
Gento Toyoda; Satoshi Yamauchi
E-MRS Fall-Meeting 2023, 2023年09月19日, European Materials Research Society
20230918, 20230921

二段階成長による選択LPCVD-Cuの成長形態の制御
豊田絃人、山内智
第30回電気学会茨城支所研究発表会, 2022年12月17日, 電気学会
20221217, 20221217

金属ハライドを原料とする金属層の気相選択形成
山内 智
ハロゲン利用ミニシンポジウム, 2022年11月25日, 臭素化学懇話会, ［招待有り］
20221125, 20221125

A study of Cu-growth feature by selective-LPCVD using CuI-precursor
Gento Toyoda; Satoshi Yamauchi; Takashi Fuse; Yusuke Kubota
Advanced Metallization Conference 2022 31st Asian Session, 2022年10月13日, 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会
20221013, 20221014

ヨウ化銅(Ⅰ)を用いた選択CVD法による低抵抗率な銅層の形成
豊田絃人、山内智
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月21日, 日本応用物理学会
20220920, 20220923

ヨウ化銅(Ⅰ)を原料とする選択LPCVD法によるCuの成長機構　　　　　　　　　　　　　　　
豊田 絃人、菊池 ひかり、山内 智、布瀬 暁志、久保田 雄介
第69回 応用物理学会 春季学術講演会, 2022年03月25日, 日本応用物理学会
20220322, 20220326

CuIを用いたLPCVD法によるRu上への大粒径Cu成長　　　　　　　　　　　　　　　
菊池ひかり、山内智
第29回電気学会東京支部茨城支所研究発表会, 2021年12月11日, 電気学会
20211211, 20211211

ヨウ化銅を用いたルテニウム上への銅の選択化学気相堆積　　　　　　　　　　　　　　　
堀内健佑、山内 智
第８０回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月18日, 日本応用物理学会

ヨウ化銅を用いたLPCVD法による銅膜の高速成長　　　　　　　　　　　　　　　
堀内健佑 (丸谷美由紀; 城塚達也; 山内智 )
平成 30 年度 電気学会東京支部 茨城支所 研究発表会, 2018年11月17日, 電気学会

αーラクトースによるTHz波発振特性　　　　　　　　　　　　　　　
高橋伸介、山内 智
第２５回電気学会東京支部茨城支所研究発表会, 2017年11月18日, 電気学会

低圧化学気相堆積法を用いた高効率な光触媒性を有する酸化チタン薄膜の形成　　　　　　　　　　　　　　　
木村慎二、山内 智
第２５回電気学会東京支部茨城支所研究発表会, 2017年11月18日, 電気学会

CuIを原料とするLPCVD法による選択的なCu堆積Ⅱ　　　　　　　　　　　　　　　
西川太二、山内 智
第２５回電気学会東京支部茨城支所研究発表会, 2017年11月18日, 電気学会

ヨウ化銅のみを原料とする銅の気相選択成長　　　　　　　　　　　　　　　
山内 智
TSV応用研究会, 2016年10月04日, TSV応用研究会, ［招待有り］

配向性制御によるアナターゼTiO2光触媒性の高効率化　　　　　　　　　　　　　　　
山本佳祐; 山内智
第23回電気学会東京支部茨城支所研究発表会, 2015年11月28日, 電気学会東京支部茨城支所

THz-TDSによる超親水性表面での水の分析　　　　　　　　　　　　　　　
山内 智、今井 洋、斗内政吉
第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013年09月18日, 応用物理学会

Nb-FドープCVD-TiO2薄膜のwet処理による特性改善　　　　　　　　　　　　　　　
山内 智、石橋和洋
第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013年09月17日, 応用物理学会

ＣＶＤ法による低抵抗酸化チタン薄膜の成長II　　　　　　　　　　　　　　　
石橋和洋,永塚正浩,塚本修平,山内 智
第20回電気学会東京支部茨城支所研究発表会, 2012年11月24日

CVD法による低抵抗酸化チタン薄膜の成長II　　　　　　　　　　　　　　　
石橋和洋,永塚正浩,塚本修平,山内 智
第７３回応用物学会学術講演会, 2012年09月13日

THz-TDSによる糖類の分析III　　　　　　　　　　　　　　　
山内 智,畠山さくら,今井 洋,斗内政吉
第７３回応用物学会学術講演会, 2012年09月11日

CVD法による低抵抗酸化チタン薄膜の成長　　　　　　　　　　　　　　　
石橋和洋,齋木翔太,山内 智
第５９回応用物学関係連合講演会, 2012年03月18日

ＣＶＤ法による低抵抗酸化チタン薄膜の成長I　　　　　　　　　　　　　　　
齊木翔太,石橋和洋,山内 智
第19回電気学会東京支部茨城支所研究発表会, 2011年11月19日

THz-TDSによる糖類の分析II　　　　　　　　　　　　　　　
山内 智,高橋敦史,高山 超,今井 洋,斗内政吉
第７２回応用物学会学術講演会, 2011年09月

水素プラズマセルを用いたペンタセン薄膜の形成２　　　　　　　　　　　　　　　
水口嵩敏、小野寺美幸、山内 智
第７２回応用物学会学術講演会, 2011年09月

THz-TDSによる糖類の分析　　　　　　　　　　　　　　　
山内 智,高橋篤史,高山 超,今井 洋,斗内政吉
第５８回応用物学関係連合講演会, 2011年03月

水素プラズマセルを用いたペンタセン薄膜の形成　　　　　　　　　　　　　　　
水口嵩敏、水上洋典、山内 智
第５８回応用物学関係連合講演会, 2011年03月

テラヘルツ時間領域分光法による不純物添加水の分析Ⅱ　　　　　　　　　　　　　　　
高山 超,山内 智,今井 洋
第18回電気学会東京支部茨城支所研究発表会, 2010年11月

ペンタセン薄膜の形成制御と評価　　　　　　　　　　　　　　　
水上洋典,水口嵩敏、山内 智
第18回電気学会東京支部茨城支所研究発表会, 2010年11月

プラズマＣＶＤ法を用いた超親水性酸化チタン薄膜の室温形成　　　　　　　　　　　　　　　
圷 里紗,仲川明恵、山内 智
第18回電気学会東京支部茨城支所研究発表会, 2010年11月

プラズマＣＶＤ法による親水性酸化チタン薄膜の室温形成Ⅱ　　　　　　　　　　　　　　　
山内 智,圷 理紗,今井 洋
第71 回応用物理学会学術講演会, 2010年09月

テラヘルツ波時間領域分光法による不純物添加水の分析II　　　　　　　　　　　　　　　
高山 超,山内 智,今井 洋,斗内政吉
第５７回応用物学関係連合講演会, 2010年03月

テラヘルツ時間領域分光法による不純物添加水の分析　　　　　　　　　　　　　　　
高山 超,山内 智,今井 洋
第17回電気学会東京支部茨城支所研究発表会, 2009年11月

ＰＣＶＤ法により室温形成した酸化チタン薄膜の紫外線処理効果　　　　　　　　　　　　　　　
鈴木裕美,樋口智幸,山内 智
第７０回応用物理学会学術講演会, 2009年09月11日

テラヘルツ波時間領域分光法による不純物添加水の分析　　　　　　　　　　　　　　　
高山 超,鈴木健仁,山内 智,今井 洋
第７０回応用物理学会学術講演会, 2009年09月09日

プラズマＣＶＤ法による酸化チタン薄膜の室温成長　　　　　　　　　　　　　　　
樋口智幸,山内 智
第５６回応用物理学関係連合講演会, 2009年03月30日

ＴＨｚ波を用いた水の透過型分光分析Ⅱ　　　　　　　　　　　　　　　
野口 航,高山 超,山内 智,今井 洋
第５６回応用物理学関係連合講演会, 2009年03月30日

テラヘルツ波時間領域分光法による水の構造分析Ⅱ　　　　　　　　　　　　　　　
野口 航,高山 超,山内 智,今井 洋
第１６回電気学会東京支部茨城支所研究発表会, 2008年12月

酸化チタンバッファー層を用いたＰＡＥ－ＺｎＯ薄膜の高品質化　　　　　　　　　　　　　　　
関 資明,水上洋典,山内 智
第１６回電気学会東京支部茨城支所研究発表会, 2008年12月

樋口智幸，山内 智　　　　　　　　　　　　　　　
プラズマCVD法による酸化チタン薄膜の低温成長
第１６回電気学会東京支部茨城支所研究発表会, 2008年12月

親水性ナノ結晶を用いた大気中水分の吸着現象の制御　　　　　　　　　　　　　　　
上野陽平,山内 智
第１６回電気学会東京支部茨城支所研究発表会, 2008年12月

Plasma synthesis of zinc-oxide thin film based on mass-selective momentum control　　　　　　　　　　　　　　　
Naoyuki Sato; Satoshi Yamauchi; Takashi Ikehata; Yasushi Nakano; Jin Oonuki
Plasma Science Symposium 2005/The 22nd Symposium on Plasma Processing, 2005年01月26日

2010年01月, 材料技術研究協会

The Institute of Electrical and Electronics Engineers,(IEEE)

日本応用物理学会

The Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

Materials Research Society (MRS)

選択金属成膜法を用いた自己整合配線形成技術
可能性検証
2023年10月 - 2025年03月

ヨウ化物を原料とするCVD法による金属薄膜の選択成長
基盤研究（C）
茨城大学
2022年04月 - 2025年03月

自己解離型化学気相法による金属層の選択形成
2020年02月 - 2023年03月

CuIを原料とするCuの選択形成　　　　　　　　　　　　　　　
基盤研究(C)
2017年04月 - 2020年03月

糖結晶ＴＨｚエミッターの開発
挑戦的萌芽研究
茨城大学
2012年04月01日 - 2015年03月31日

機能性複合化合物材料の合成に向けた選択的運動量制御型プラズマ成膜技術の開発
基盤研究(B)
茨城大学
2004年 - 2006年

高感度・低暗電流撮像素子素子用CCDレジスタの研究
基盤研究(C)
茨城大学
2001年 - 2002年