サカネ シユンヤ坂根 駿也助教Shunya Sakane
■研究者基本情報
学歴
経歴
■研究活動情報
受賞
- 2024年03月, 第56回（2024年春季）応用物理学会講演奨励賞, サファイア基板上エピタキシャルMg3Sb2薄膜の熱電特性評価, 応用物理学会
坂根駿也 - 2019年07月23日, Young Scientist Awards, The 5th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials
Shunya Sakane;Takafumi Ishibe;Nobuyasu Naruse;Yutaka Mera;Md. Mahfuz Alam;Kentarou Sawano;Nobuya Mori;Yoshiaki Nakamura
国際学会・会議・シンポジウム等の賞 - 2017年02月, 大阪大学基礎工学研究科修士論文優秀発表賞, ナノドット含有Si薄膜の作製とその熱電特性に関する研究, 大阪大学
坂根 駿也
その他の賞
論文
- Evaluation of Mg2Si TPV cells fabricated on n-Mg2Si substrate by thermal diffusion of Ag acceptor.
Takumi Shimizu; Daisuke Miyago; Kosuke Shimano; Shunya Sakane; Haruhiko Udono
Jpn. J. Appl. Phys, 2024年12月, ［査読有り］ - Record High Thermoelectric Figure of Merit of a III‑V Semiconductor InGaSb by Defects Engineering via the Addition of Excess Constituent Elements.
Nirmal Kumar Velu; Yasuhiro Hayakawa; Haruhiko Udono; Shunya Sakane; Yuko Inatomi
ACS Appl. Mater. Interfaces, 2024年08月, ［査読有り］ - Epitaxial growth of high-quality Mg3Sb2 thin films on annealed c-plane Al2O3 substrates and their thermoelectric properties.
Akito Ayukawa; Nozomu Kiridoshi; Wakaba Yamamoto; Akira Yasuhara; Haruhiko Udono; Shunya Sakane, ラスト(シニア)オーサー
Appl. Phys. Express, 2024年06月, ［査読有り］ - Precise synthesis of copper selenide nanowires with tailored Cu vacancies through photo-induced reduction for thermoelectric applications.
Shunya Sakane; Tatsuki Miura; Kazuki Munakata; Yusuke Morikawa; Shunichiro Miwa; Riku Yamanaka; Toshiki Sugai; Akito Ayukawa; Haruhiko Udono; Hideki Tanaka, 筆頭著者
Nanoscale Adv., 2024年04月, ［査読有り］ - Catalytic activity of nonaggregating Cu nanoparticles supported in pores of zeolite for aerobic oxidation of benzyl alcohol
Shunya Sakane; Kai Akimoto; Kishin Konishi; Kenta Takaoka; Harunobu Iwatsuki; Mayu Akutsu; Toshiki Sugai; and Hideki Tanaka, 筆頭著者
ACS Omega, 2023年12月, ［査読有り］ - Thermoelectric properties of B-doped nanostructured bulk diamond with lowered thermal conductivity.
Shunya Sakane; Takafumi Ishibe; Yuri Yukawa; Yoshiaki Nakamura, 筆頭著者
Diamond & Related Materials, 2023年12月, ［査読有り］ - Control of Ag acceptor concentration and pn-junction depth in single crystalline Mg2Si photodiodes.
Shunya Sakane; and Haruhiko Udono, 筆頭著者
AIP Advances, 2023年10月, ［査読有り］ - Plasmonic Heating of Copper Nanoparticles with Thermoresponsive Polymers.
Shunya Sakane; Toshiki Anji; Itsuki Yamagishi; Issei Kohara; and Hideki Tanaka, 筆頭著者
Chemistry Letters, 2023年08月, ［査読有り］ - Temperature dependences of thermoelectric properties of bulk SiGeAu composites
Shunya Sakane; Takafumi Ishibe; Takeshi Fujita; and Yoshiaki Nakamura, 筆頭著者
JJAP Conf. Proc., 2023年04月, ［査読有り］ - Thermoelectric Properties of PEDOT:PSS Containing Connected Copper Selenide Nanowires Synthesized by the Photoreduction Method
Shunya Sakane; Shunichiro Miwa; Tatsuki Miura; Kazuki Munakata; Takafumi Ishibe; Yoshiaki Nakamura; Hideki Tanaka, 筆頭著者
ACS omega, 2022年09月05日, ［査読有り］ - Anomalous enhancement of thermoelectric power factor by thermal management with resonant level effect
Shunya Sakane; Takafumi Ishibe; Kosei Mizuta; Takeshi Fujita; Yuga Kiyofuji; Jun-ichiro Ohe; Eiichi Kobayashi; Yoshiaki Nakamura, 筆頭著者,Thermoelectric power factor enhancement through thermal management with resonant level effect is experimentally demonstrated in SiGeAu composite system.
, Royal Society of Chemistry (RSC)
Journal of Materials Chemistry A, 2021年, ［査読有り］ - Direct mapping of temperature-difference-induced potential variation under non-thermal equilibrium
Yuki Komatsubara; Takafumi Ishibe; Yuji Miyato; Shunya Sakane; Yoshiaki Nakamura
Applied Physics Letters, 2021年, ［査読有り］ - Methodology of thermoelectric power factor enhancement by nanoscale thermal management in bulk SiGe composites.
Shunya Sakane; Takafumi Ishibe; Kosei Mizuta; Masato Kashino; Kentaro Watanabe; Takeshi Fujita; Yoshinari Kamakura; Nobuya Mori; Yoshiaki Nakamura, 筆頭著者
ACS Appl. Energy Mater., 2020年, ［査読有り］ - Nanostructural effect on thermoelectric properties in Si films containing iron silicide nanodots
Shunya Sakane; Takafumi Ishibe; Tatsuhiko Taniguchi; Takahiro Hinakawa; Ryoya Hosoda; Kosei Mizuta; Md. Mahfuz Alam; Kentarou Sawano; Yoshiaki Nakamura, 筆頭著者, Thin film thermoelectric materials have drawn much attention for realizing one-chip stand-alone power sources of Internet of Things devices. Here, we fabricate two types of the nanostructured Si films with high crystallinity: Si films containing beta-FeSi2 nanodots with a wider nanodot size distribution of similar to 5-120 nm and Si films containing alpha-FeSi2 nanodots with a narrow size distribution of similar to 5-20 nm. The thermal conductivity of these films is lower than those of Si-silicide nanocomposite bulks. Interestingly, Si films containing beta-FeSi2 nanodots show about two times lower thermal conductivity than Si films containing alpha-FeSi2 nanodots. This is because the widely-size-distributed beta-FeSi2 nanodots can effectively work as phonon scattering centers due to hierarchical architectures. These films also exhibited a high power factor due to the small amount of point defects and single crystalline epitaxial interfaces, regardless of the iron silicide phase of nanodots. These detailed investigations will open a road for realizing high-performance thin film thermoelectric materials. (c) 2020 The Japan Society of Applied Physics, IOP PUBLISHING LTD
Jpn. J. Appl. Phys., 2020年, ［査読有り］ - Thermoelectric power factor enhancement based on carrier transport physics in ultimately phonon-controlled Si nanostructures
Shunya Sakane; Takafumi Ishibe; Tatsuhiko Taniguchi; Nobuyasu Naruse; Yutaka Mera; Takeshi Fujita; Md. Mahfuz Alam; Kentarou Sawano; Nobuya Mori; Yoshiaki Nakamura, 筆頭著者, We thoroughly investigated carrier and phonon transports related to thermoelectric properties using absolutely-controlled Si nanostructures, namely Si films containing epitaxial nanodots (NDs). In the Si nanostructure, various ND materials were introduced selectively such as Ge and beta-FeSi2. This brings the ND/Si hetero-interface control; interface energy band offset and lattice mismatch strain in Si films. Ultrahigh density stacking faults can also be intentionally introduced using ultrathin SiO2 films. We reduced thermal conductivity (<2 Wm(1) K-1) close to amorphous Si due to phonon transport control in absolutely-controlled Si nanostructures: scattering both by NDs and intentionally-doped atomic-scale impurities, namely wide-scale length phonon scattering. The electron transport related to Seebeck coefficient and electrical conductivity was manipulated by intentionally-introduced nanostructures: ND/Si hetero-interfaces and stacking faults. In the epitaxial Si thin films containing beta-FeSi2 NDs, energetic carrier transports through stacking faults with several tens of meV barrier height enhanced the power factor. In the strained epitaxial Si thin films containing Ge NDs, it was found that strain-induced band splitting leading to high electron mobility enhanced the power factor. These results demonstrated that thermoelectric performance determined by electron and phonon transports were strongly dependent on the crystal characters (strain, crystal defects and the interfaces) relating to intentionally-introduced nanostructures. This suggests that it is important to design nanostructured materials on nanoscale and atomic-scale for enhancement of thermoelectric performance: introduction of stacking faults with proper energy barriers, NDs and dopants scattering phonons, and the less point defects. This also demonstrates that its nanostructuring methodology opens a load to realization of thermoelectric Si thin films. (C) 2019 Elsevier Ltd. All rights reserved., ELSEVIER SCI LTD
Materials Today Energy, 2019年09月, ［査読有り］ - High thermoelectric performance in high crystallinity epitaxial Si films containing silicide nanodots with low thermal conductivity
Shunya Sakane; Takafumi Ishibe; Takahiro Hinakawa; Nobuyasu Naruse; Yutaka Mera; Md. Mahfuz Alam; Kentarou Sawano; Yoshiaki Nakamura, 筆頭著者, High crystallinity Si films containing silicide nanodots (NDs) were epitaxially grown on Si substrates at high temperature (∼750 °C), where the silicide phase of NDs (metallic α-FeSi2 or semiconductor β-FeSi2) was selectable by tuning the Fe deposition amount. The high crystallinity high-temperature-grown Si films with NDs exhibited lower thermal conductivity (5.4 W m-1 K-1) due to the phonon scattering at the ultrasmall ND interfaces than bulk Si-silicide nanocomposites that have ever been reported. In this ND system with extremely low thermal conductivity, due to the less point defects and high quality ND interface, the thermoelectric power factor (∼28 μW cm-1 K-2) was observed to be the same as the high value of Si films without NDs at room temperature, which is the highest value among Si-silicide bulk nanocomposites ever reported. The simultaneous achievement of a high power factor and low thermal conductivity in the high quality ND system will provide the key for design of high thermoelectric performance of Si-based nanostructured films.
Appl. Phys. Lett., 2019年, ［査読有り］ - Semiconductor Nanostructure Design for Thermoelectric Property Control
Yoshiaki Nakamura; Takafumi Ishibe; Tatsuhiko Taniguchi; Tsukasa Terada; Ryoya Hosoda; Shunya Sakane
Int. J. Nanoscience, 2019年 - Resistive switching characteristics of isolated core-shell iron oxide / germanium nanocrystals epitaxially grown on Si substrates
Hideki Matsui; Takafumi Ishibe; Tsukasa Terada; Shunya Sakane; Kentaro Watanabe; Shotaro Takeuchi; Akira Sakai; Shigeru Kimura; Yoshiaki Nakamura
Applied Physics Letters, 2018年01月, ［査読有り］ - Formation of various epitaxial nanodots in Si films for thermoelectric materials
Shunya Sakane; Kentaro Watanabe; Takeshi Fujita; Nobuyasu Naruse; Yoshiaki Nakamura, 筆頭著者
17th International Conference on Micro and Nanotechnology for Power Generation and Energy Conversion Applications (PowerMEMS) J. Phys.: Conf. Ser., 2018年 - Epitaxial multilayers of β-FeSi2 nanodots/Si for Si-based nanostructured electronic materials
Shunya Sakane; Masayuki Isogawa; Kentaro Watanabe; Shotaro Takeuchi; Akira Sakai; Yoshiaki Nakamura, 筆頭著者
Journal of Vacuum Science & Technology A, 2017年06月, ［査読有り］ - Thermoelectric properties of epitaxial β-FeSi2 thin films/Si(111) and enhancement approach of its thermoelectric performance
Tatsuhiko Taniguchi; Shunya Sakane; Shunsuke Aoki; Ryo Okuhata; Takafumi Ishibe; Kentaro Watanabe; Takeyuki Suzuki; Takeshi Fujita; Kentarou Sawano; Yoshiaki Nakamura, We have investigated the intrinsic thermoelectric properties of epitaxial beta-FeSi2 thin films and the impact of phosphorus (P) doping. Epitaxial beta-FeSi2 thin films with single phase were grown on Si(111) substrates by two different techniques in an ultrahigh-vacuum molecular beam epitaxy (MBE) system: solid-phase epitaxy (SPE), where iron silicide films formed by codeposition of Fe and Si at room temperature were recrystallized by annealing at 530A degrees C to form epitaxial beta-FeSi2 thin films on Si(111) substrates, and MBE of beta-FeSi2 thin films on epitaxial beta-FeSi2 templates formed on Si(111) by reactive deposition epitaxy (RDE) at 530A degrees C (RDE + MBE). Epitaxial SPE thin films based on codeposition had a flatter surface and more abrupt beta-FeSi2/Si(111) interface than epitaxial RDE + MBE thin films. We investigated the intrinsic thermoelectric properties of the epitaxial beta-FeSi2 thin films on Si(111), revealing lower thermal conductivity and higher electrical conductivity compared with bulk beta-FeSi2. We also investigated the impact of doping on the Seebeck coefficient of bulk and thin-film beta-FeSi2. A route to enhance the thermoelectric performance of beta-FeSi2 is proposed, based on (1) fabrication of thin-film structures for high electrical conductivity and low thermal conductivity, and (2) proper choice of doping for high Seebeck coefficient., SPRINGER
Journal of Electronic Materials, 2017年05月, ［査読有り］ - Thermoelectric properties of epitaxial β-FeSi2 thin films grown on Si(111) substrates with various film qualities
Kentaro Watanabe; Tatsuhiko Taniguchi; Shunya Sakane; Shunsuke Aoki; Takeyuki Suzuki; Takeshi Fujita; Yoshiaki Nakamura
Japanese Journal of Applied Physics, 2017年04月, ［査読有り］ - Independent control of electrical and heat conduction by nanostructure designing for Si-based thermoelectric materials
Shuto Yamasaka; Kentaro Watanabe; Shunya Sakane; Shotaro Takeuchi; Akira Sakai; Kentarou Sawano; Yoshiaki Nakamura, The high electrical and drastically-low thermal conductivities, a vital goal for high performance thermoelectric (TE) materials, are achieved in Si-based nanoarchitecture composed of Si channel layers and epitaxial Ge nanodots (NDs) with ultrahigh areal density (∼1012 cm-2). In this nanoarchitecture, the ultrasmall NDs and Si channel layers play roles of phonon scattering sources and electrical conduction channels, respectively. Electron conductivity in n-type nanoacrhitecture shows high values comparable to those of epitaxial Si films despite the existence of epitaxial NDs. This is because Ge NDs mainly scattered not electrons but phonons selectively, which could be attributed to the small conduction band offset at the epitaxially-grown Si/Ge interface and high transmission probability through stacking faults. These results demonstrate an independent control of thermal and electrical conduction for phonon-glass electron-crystal TE materials by nanostructure designing and the energetic and structural interface control.
Scientific Reports, 2016年03月, ［査読有り］ - Fabrication of Carrier-Doped Si Nanoarchitecture for Thermoelectric Material by Ultrathin SiO2 Film Technique
Tomohiro Ueda; Shunya Sakane; Takafumi Ishibe; Kentaro Watanabe; Shotaro Takeuchi; Akira Sakai; Yoshiaki Nakamura
Journal of Electronic Materials, 2016年03月, ［査読有り］
書籍等出版物
講演・口頭発表等
- 銅ナノ粒子/温度応答性ポリマーの凝集状態と触媒能評価
関場笙太; 山岸樹; 坂根駿也; 田中秀樹
ナノ学会第23回大会, 2025年05月15日 - 銅ナノ粒子-ゼオライト複合体を利用したアルコール酸化触媒反応の温度依存性
金子 淳之介; 岩月 晴頌; 坂根 駿也; 田中 秀樹
日本化学会 第105春期年会, 2025年03月28日 - PEDOT:PSS/酸化チタン混合薄膜における紫外光照射による熱電性能向上
坂本 拓巳; 東山 拓杜; 鮎川 瞭仁; 坂根 駿也; 田中 秀樹
日本化学会 第105春期年会, 2025年03月27日 - α-Cu2Seナノワイヤ/還元型酸化グラフェンフレキシブル膜の合成および熱電性能評価
三田 竜平; 三浦 達樹; 坂根 駿也; 田中 秀樹; 畑中 勇人
日本化学会 第105春期年会, 2025年03月27日 - Ag2Se ナノワイヤ薄膜の熱電特性におけるコールドプレス条件の影響
久保田 くるみ; 春日井 陽菜; 坂根 駿也; 田中 秀樹
日本化学会 第105春期年会, 2025年03月27日 - 透過電子顕微鏡法によるゼオライト担持銅ナノ粒子触媒の断面観察
山本 若葉; 安原 聡; 柴田 昌照; 岩月 晴頌; 坂根 駿也; 田中 秀樹
日本化学会 第105春期年会, 2025年03月27日 - セレン化銅ナノ粒子を複合化した温度応答性高分子の合成およびその温度応答性の評価
岡部 拓馬; 木村 美月; 坂根 駿也; 田中 秀樹
日本化学会 第105春期年会, 2025年03月26日 - ジントル相化合物を用いた薄膜熱電材料に関する研究
坂根駿也
第４4回シリサイド系半導体研究会, 2025年03月22日, ［招待有り］ - エピタキシャルMg3Sb2/Mg3Bi2薄膜の電気特性と構造評価
根城 虹希; 鮎川 瞭仁; 切通 望; 栗山 武琉; 鵜殿 治彦; 坂根 駿也
第72回応用物理学会春季学術講演会, 2025年03月16日 - スパッタリング堆積法によるSi基板上へのInSb薄膜の成長と評価
小金澤 藍; 久保田 啓聖; 鮎川 瞭仁; 坂根 駿也; 鵜殿 治彦
第72回応用物理学会春季学術講演会, 2025年03月16日 - 平底pBN坩堝からブリッジマン成長したMg2Si結晶の結晶成長方位
鉄 幸多朗; 島野 航輔; 木村 侑生; 藤久 善司; 坂根 駿也; 鵜殿 治彦
第72回応用物理学会春季学術講演会, 2025年03月16日 - Ag拡散源の膜厚によるMg2Si-PDの受光感度への影響
飯野 有紀; 武井 日出人; 尾嶋 海人; 坂根 駿也; 鵜殿 治彦
第72回応用物理学会春季学術講演会, 2025年03月16日 - Mg3Sb2薄膜への不純物ドーピングに向けたイオン注入法の検討
坂根 駿也; 鮎川 瞭仁; 切通 望; 栗山 武琉; 根城 虹希; 鵜殿 治彦
第72回応用物理学会春季学術講演会, 2025年03月15日 - c-Al2O3基板上Mg3Bi2薄膜のエピタキシャル成長及び熱電特性評価
鮎川 瞭仁; 栗山 武流; 根城 虹希; 鵜殿 治彦; 坂根 駿也
第72回応用物理学会春季学術講演会, 2025年03月15日 - Si(001)基板上に作製したエピタキシャルMg3Sb2薄膜の赤外受光特性
切通 望; 鮎川 瞭仁; 根城 虹希; 栗山 武琉; 山本 若葉; 安原 聡; 佐藤 康平; 鵜殿 治彦; 坂根 駿也
第72回応用物理学会春季学術講演会, 2025年03月14日 - 短波赤外イメージセンサに向けたMg2Si-PDリニアアレイの試作(II)
古田 良輔; 尾嶋 海人; 武井 日出人; 勝俣 響; 坂根 駿也; 鵜殿 治彦
第72回応用物理学会春季学術講演会, 2025年03月14日 - Mg2Siのラマンスペクトルと第一原理計算によるフォノンダイナミクス解析
島野 航輔; 太田 岳宏; 高倉 健一郎; 坂根 駿也; 鵜殿 治彦
第72回応用物理学会春季学術講演会, 2025年03月14日 - エピタキシャルMg3Bi2薄膜の大気安定性および熱電性能評価
栗山 武琉; 鮎川 瞭仁; 根城 虹希; 鵜殿 治彦; 坂根 駿也
第72回応用物理学会春季学術講演会, 2025年 - エピタキシャルMg3SbBi薄膜における電気特性の温度依存性
根城 虹希; 栗山 武琉; 鮎川 瞭仁; 切通 望; 鵜殿 治彦; 坂根 駿也
令和6年度（第32回）茨城支所研究発表会, 2024年11月30日 - シリコン基板上のInSbのスパッタ成膜
小金澤 藍登; 久保田 啓聖; 鮎川 瞭仁; 坂根 駿也; 鵜殿 治彦
令和6年度（第32回）茨城支所研究発表会, 2024年11月30日 - c-Al2O3基板上エピタキシャルMg3Bi2薄膜の大気安定性の向上
栗山 武琉; 鮎川 瞭仁; 鵜殿 治彦; 坂根 駿也
令和6年度（第32回）茨城支所研究発表会, 2024年11月30日 - 平坦坩堝からブリッジマン成長したMg₂Si結晶の成長方位と結晶性評価
鉄 幸多朗; 島野 航輔; 藤久 善司; 木村 侑生; 鵜殿 治彦; 坂根 駿也
令和6年度（第32回）茨城支所研究発表会, 2024年11月30日 - 低温・バイアス下におけるマグネシウムシリサイドフォトダイオードの分光感度
古田 良輔; 勝俣 響; 坂根 駿也; 鵜殿 治彦
令和6年度（第32回）茨城支所研究発表会, 2024年11月30日 - 微細加工によるマグネシウムシリサイドフォトダイオードのAg拡散条件と分光感度
勝俣 響; 古田 良輔; 尾嶋 海人; 武井 日出人; 坂根 駿也; 鵜殿 治彦
令和6年度（第32回）茨城支所研究発表会, 2024年11月30日 - Epitaxial Growth of High-quality Mg3Sb2-based Thin Films and Their Thermoelectric Properties
Akito Ayukawa; Nozomu Kiridoshi; Takeru Kuriyama; Wakaba Yamamoto; Akira Yasuhara; Haruhiko Udono; Shunya Sakane
ICFD2024, 2024年11月18日 - Sc 添加したMg3(Sb,Bi)2 結晶合成と熱電特性評価
小金澤 直; 鵜殿 治彦; 坂; 根 駿也; 鮎川 瞭仁
第 21 回日本熱電学会学術講演会, 2024年09月25日 - c-Al2O3 基板上へのエピタキシャル Mg3Bi2 薄膜の作製条件探索及び熱 電特性評価
鮎川 瞭仁; 栗山 武流; 鵜; 殿 治彦; 坂根 駿也
第 21 回日本熱電学会学術講演会, 2024年09月24日 - 不純物ドープしたMg2Si単結晶のラマン分光測定
島野 航輔; 鵜殿 治彦; 坂根 駿也
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月18日 - 同時蒸着によるSi(001)基板上エピタキシャルMg3Sb2薄膜の作製
切通 望; 鮎川 瞭仁; 山本 若葉; 安原 聡; 佐藤 康平; 鵜殿 治彦; 坂根 駿也
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月18日 - c-Al2O3基板上エピタキシャルMg3Bi2薄膜の成長条件の探索
鮎川 瞭仁; 栗山 武流; 鵜殿 治彦; 坂根 駿也
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月18日 - Mg2Si-PDアレイの窒化シリコン絶縁膜の暗電流への影響
武井 日出人; 尾嶋 海人; 坂根 駿也; 鵜殿 治彦
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月17日 - 短波赤外イメージセンサに向けたMg2Si-PDリニアアレイの試作
今泉 尚己; 尾嶋 海人; 武井 日出人; 坂根 駿也; 鵜殿 治彦
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月17日 - 歪み緩和したエピタキシャルMg3Sb2薄膜の熱電特性
坂根駿也; 鮎川瞭仁; 切通望; 山本若葉; 安原聡; 山下雄一郎; 鵜殿治彦
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月17日, ［招待有り］ - n型基板上に熱拡散で作製したMg2Si-TPVセルの出力特性への基板キャリア濃度の影響
清水 匠; 島野 航輔; 坂根 駿也; 鵜殿 治彦
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月16日 - φ50mmサイズMg2Si結晶の単結晶化機構の調査
藤久 善司; 木村 侑生; 島野 航輔; 坂根 駿也; 劉 鑫; 宇佐美 徳隆; 鵜殿 治彦
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月16日 - Epitaxial Growth of Zintl Phase Mg3Sb2 Thin Films on Si (001) Substrate by Simultaneous Deposition
Nozomu Kiridoshi; Akito Ayukawa; Haruhiko Udono; Shunya Sakane
ICMBE2024, 2024年09月12日 - High-quality Mg3Sb2 Epitaxial Thin Films with Few Defects Grown Directly on c-plane Al2O3 Substrates
Akito Ayukawa; Nozomu Kiridoshi; Wakaba Yamamoto; Haruhiko Udono; Shunya Sakane
ICMBE2024, 2024年09月12日 - Evaluation of Mg2Si TPV cells fabricated on n-Mg2Si substrate by thermal diffusion of Ag acceptor
Takumi Shimizu; Daisuke Miyago; Shunya Sakane; Haruhiko Udono
International Conference on Solid State Devices and Materials 2024, 2024年09月03日 - ナノ材料を駆使した有機熱電材料の高性能化
坂根駿也
電気学会 基礎・材料・共通部門大会, 2024年09月02日, ［招待有り］ - Thermoelectric performance of epitaxially grown Mg3Sb2 thin films on sapphire substrates
Shunya Sakane; Akito Ayukawa; Nozomu Kiridoshi; Yuichiro Yamashita; Haruhiko Udono
The 40th International Conference on Thermoelectrics (ICT2024), 2024年07月04日 - 光還元法により合成したCuナノ粒子−ゼオライト複合体の断面観察
山本若葉; 安原聡; 柴田昌照; 山本康晶; 岩月晴頌; 坂根駿也; 田中秀樹
日本顕微鏡学会第80回学術講演会
20240602, 20240605 - 基板表面の原子配列制御による高品質エピタキシャル Mg3Sb2 薄膜の作製
鮎川瞭仁; 切通望; 山本若葉; 坂根駿也; 鵜殿治彦
ナノ学会第 22 回大会, 2024年05月23日 - 銅ナノ粒子/温度応答性ポリマーの合成とナノ粒子凝集体の形成
岡部拓馬; 坂根駿也; 田中秀樹
ナノ学会第 22 回大会, 2024年05月23日 - c-Al2O3基板上へのエピタキシャルMg3Sb2薄膜の作製
鮎川 瞭仁; 切通 望; 綿引 詩門; 坂根 駿也; 鵜殿 治彦
第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024年03月 - 高真空中で加熱したMg2SiにおけるMgの蒸発機構の検 討
綿引 詩門; 植松 達哉; 本木 秀承; 木村 侑生; 鮎; 川 瞭仁; 坂根 駿也; 鵜殿 治彦
第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024年03月 - 熱光発電に向けた Mg2Si 受光セルの作製と特性評価
宮後 大介; 坂根 駿也; 鵜殿 治彦
第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024年03月 - c-Al2O3基板上へのMg3Sb2薄膜のエピタキシャル成長に おける基板温度の影響
切通 望; 鮎川 瞭人; 坂根 駿也; 小峰 啓史; 鵜殿 治彦
第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024年03月 - Mg2Si基板上に堆積したAg薄膜の熱処理による反
武井 日出人; 今泉 尚己; 尾嶋 海人; 久保田 啓; 坂根 駿也; 鵜殿 治彦
第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024年03月 - 階段及び傾斜接合Mg2Si-TPVセルの出力特性シミュレー ション
清水 匠; 宮後 大介; 坂根 駿也; 鵜殿 治彦
第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024年03月 - p型拡散層形成時間の変化によるMg2Si PDの受光感度特 性の解析
勝俣 響; 今泉 尚己; 植松 達哉; 坂根 駿也; 鵜殿 治彦
第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024年03月 - サファイア基板上エピタキシャルMg3Sb2薄膜の熱電特性評価
坂根 駿也; 鮎川 瞭仁; 切通 望; 綿引 詩門; 鵜殿 治彦
第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024年03月 - 熱電変換応用に向けたグラフェン/銅ナノ粒子複合材料の創成
廖 偉力; 齋藤 光希; 坂根 駿也; 田中 秀樹
日本化学会 第104春期年会, 2024年03月 - PEDOT:PSS/グラフェン積層薄膜の熱電特性におけるグラフェン積層量依存性
内田 京杜; 渡邊 勇真; 坂根 駿也; 田中 秀樹
日本化学会 第104春期年会, 2024年03月 - α-Cu2Seナノワイヤにおけるアニールによる熱電特性向上
森川雄介; 宗像一紀; 姜仁秀; 坂根駿也; 田中秀樹
日本化学会 第104春期年会, 2024年03月 - Ag2Se ナノワイヤ/BBL:PEI複合膜の熱電特性およびそのナノワ イヤ含有量依存性
春日井陽菜; 三輪俊一郎; 坂根駿也; 田中秀樹
日本化学会 第104春期年会, 2024年03月 - 光還元法を用いた銅ナノ粒子/PNIPAM 複合材料の合成と熱応答性の評価
山岸 樹; 岡部 拓馬; 坂根 駿也; 田中 秀樹
日本化学会 第104春期年会, 2024年03月 - 銅ナノ粒子-酸化チタン複合体を触媒としたアルコール酸化反応における置換基効果
三村 ちはる; 鈴木 雅博; 坂根 駿也; 田中 秀樹
日本化学会 第104春期年会, 2024年03月 - Effect of Mg vacancies on thermoelectric properties of melt-grown Mg3Bi2
Hidetsugu Motoki; Akira Ayukawa; Syunya Sakane; Motoharu Imai; Haruhiko Udono
MRM2023/IUMRS-ICA2023, 2023年12月 - Development of 2-inch diameter Mg2Si substrates toward a low-cost and environmentally friendly SWIR detector: a practical approach using simulations to avoid the crack formation
Yusei Kimura; Xin Liu; Noritaka Usami; Shunya Sakane; Haruhiko Udono
MRM2023/IUMRS-ICA2023, 2023年12月 - くし形電極を形成したMg2SiのTPVセル
宮後 大介; 清水 匠; 坂根 駿也; 鵜殿 治彦
電気学会令和5年度（第31回）茨城支所研究発表会, 2023年12月 - 超高真空中で加熱したマグネシウムシリサイド基板の特性評価
綿引 詩門; 木村 侑生; 鮎川 瞭仁; 坂根 駿也; 鵜殿 治彦
電気学会令和5年度（第31回）茨城支所研究発表会, 2023年12月 - 第一原理計算を用いたMg-Sb-Bi系材料の熱電性能予測
切通 望; 鮎川 瞭仁; 坂根 駿也; 鵜殿 治彦
電気学会令和5年度（第31回）茨城支所研究発表会, 2023年12月 - 電気学会令和5年度（第31回）茨城支所研究発表会
勝俣 響; 今泉 尚己; 坂根 駿也; 鵜殿 治彦
電気学会令和5年度（第31回）茨城支所研究発表会, 2023年12月 - Thermoelectric performance of PEDOT:PSS/Graphene multilayer thin films with intermolecular interactions
Keito Uchida; Takashi Shimizu; Koki Saito; Shunya Sakane
MRM2023/IUMRS-ICA2023, 2023年12月 - Fabrication of n-type composite thin films of inorganic nanowires/conductive polymers and their thermoelectric properties
Haruna Kasugai; Shunichiro Miwa; Shunya Sakane; Hideki Tanaka
MRM2023/IUMRS-ICA2023, 2023年12月 - Synthesis of copper nanoparticles/thermo-responsive polymers and their photo-induced thermal response
Itsuki Yamagishi; Takuma Okabe; Shunya Sakane; Hideki Tanaka
MRM2023/IUMRS-ICA2023, 2023年12月 - Vacancy control in Cu2Se nanowires and their thermoelectric properties
Shunya Sakane; Kazuki Munakata; Yusuke Morikawa; Haruhiko Udono; Hideki Tanaka
MRM2023/IUMRS-ICA2023, 2023年12月 - 融液成長したMg3Bi2結晶の組成変動とその熱電特性への影響
本木秀承; 鮎川瞭仁; 坂根駿也; 今井基晴; 鵜殿治彦
第20回 日本熱電学会学術講演会, 2023年09月 - 大気中溶融合成したMg3Sb2の結晶性と熱電特性
小金澤直; 鮎川瞭仁; 坂根駿也; 今井基晴; 鵜殿治彦
第20回 日本熱電学会学術講演会, 2023年09月 - スパッタ堆積法によるSi基板上へのMnSi1.75-x 膜の作製
久保田 啓聖; 坂根 駿也; 鵜殿 治彦
第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月 - 熱光発電に向けたMg2Siフォトダイオードの電流電圧特 性の評価
宮後 大介; 坂根 駿也; 鵜殿 治彦
第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月 - 短波長赤外イメージセンサに向けたMg2Si-PDの微細加 工と特性評価
今泉 尚己; 坂根 駿也; 鵜殿 治彦
第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月 - 4探針プローブ法を用いたMg2Siバルク基板のキャリア 密度評価
尾嶋 海人; 植松 達哉; 坂根 駿也; 鵜殿 治彦
第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月 - 垂直ブリッジマン法で成長した２インチMg2Si結晶の評価
鵜殿 治彦; 梅原 翼; 木村 侑生; 坂根 駿也
第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月 - TiO2ナノ粒子表面電子ドーピングが及ぼす PEDOT:PSSの熱電特性への影響
鮎川 瞭仁; 東山 拓杜; 坂本 拓巳; 坂根 駿也; 田中 秀樹; 鵜殿 治彦
第20回 日本熱電学会学術講演会, 2023年09月 - 欠陥制御したCu2Seナノワイヤ/グラフェン複合薄膜の熱電物性評価
坂根 駿也; 三浦 達樹; 鮎川 瞭仁; 鵜殿 治彦; 田中 秀樹
第20回 日本熱電学会学術講演会, 2023年09月 - Cu2Seナノワイヤの熱電物性におけるキャリア輸送特性のCu空孔依存性
坂根 駿也; 宗像一紀; 森川雄介; 鵜殿治彦; 田中秀樹
第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月 - Thermoelectric performance of PEDOT:PSS/graphene multilayer thin films enhanced by intermolecular interactions
Keito Uchida; Takashi Shimizu; Koki Saito; Shunya Sakane; Hideki Tanaka
The 39th International Conference on Thermoelectrics (ICT2023), 2023年06月 - Thermoelectric properties of crystal structure-controlled copper selenide nanowires
Yusuke Morikawa; Kazuki Munakata; Tatsuki Miura; Shunya Sakane; Hideki Tanaka
The 39th International Conference on Thermoelectrics (ICT2023), 2023年06月 - Thermoelectric properties of n-type conductive polymers hybridized with Ag2Se nanowires
Shunya Sakane; Shunichiro Miwa; Haruna Kasugai; Hideki Tanaka
The 39th International Conference on Thermoelectrics (ICT2023), 2023年06月 - 銅ナノ粒子/熱応答性ポリマーの合成と光誘起熱応答
山岸樹; 坂根駿也; 田中秀樹
ナノ学会第21回大会, 2023年05月 - 光還元法によるセレン化銅ナノワイヤの創製と熱電応用への展開
坂根 駿也; 三浦 達樹; 宗像 一紀; 森川 雄介; 三輪 俊一朗; 奥村 和; 田中 秀樹
ナノ学会第21回大会, 2023年05月 - Si基板上への鉄シリサイド薄膜構造形成とその熱電物性
坂根駿也; 谷口達彦; 渡辺健太郎; 中村芳明
第28回シリサイド系半導体と関連物質研究会, 2016年09月16日, ［招待有り］
共同研究・競争的資金等の研究課題
- 溶融バルクを原料としたエピタキシャル薄膜熱電材料の作製
2024年09月 - 2026年08月 - Mg 系薄膜熱電材料における最適ドーパントの探索
2025年04月 - 2026年03月 - エピタキシャルMg3Sb2薄膜を用いた横型熱電材料の開発
2025年04月 - 2026年03月 - イオン注入による Mg 系薄膜熱電材料の高性能化
2024年04月 - 2025年03月 - ナノ構造界面領域の不均一温度分布を利用した熱電物性制御
2024年04月 - 2025年03月 - ナノ結晶方位制御によるディラック電子材料の特異熱電物性の発現
2024年04月 - 2025年03月 - 特異ナノ構造を利用したディラック電子系Zintl相化合物の熱電物性制御に関する研究
2023年12月 - 2024年12月 - β-FeSi2ナノドット含有Siナノ構造を用いた熱電物性の独立制御技術の開発
科学研究費補助金
2017年04月 - 2020年03月
